[发明专利]一种提高光刻技术分辨率的方法

权利要求书

1.一种提高光刻技术分辨率的方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤1：采用掩模版测试图形进行标准的曝光实验，利用电子线宽显微镜测试光刻胶的实际曝光线宽；

步骤2：根据光刻胶的光化学反映理论和光学原理，由数学公式计算出与图像分辨率、光刻胶的阈值能量、光酸生成剂的扩散长度、空间频率、光刻设备物理参数相关的光酸的浓度值；

步骤3：根据所述光酸的浓度值，通过反复调整曝光、显影的次数及其组合，得出曝光、显影次数最少且又符合实际产品工艺要求的曝光、显影的次数及其组合。

2.根据权利要求1所述的一种提高光刻技术分辨率的方法，其特征在于：所述步骤1中的曝光实验中，曝光能量的取值范围为0.001毫焦/平方厘米～1000毫焦/平方厘米，曝光设定的焦点的取值范围为-0.2微米～+0.2微米，显影时间的取值范围为1秒～1000秒。

3.根据权利要求1所述的一种提高光刻技术分辨率的方法，其特征在于所述步骤2中的数学公式是指：

N = ∫ σ in σ out σdσ 1 sin ( πCD p ) [ π e 2 π 2 σ 2 p 2 2 φ ( 1 - sin 2 ( λ 2 np ) ) - 2 ( 1 + α ) π ( 1 - α ) cos ( πCD p ) ] ∫ σ in σ out σdσ ]]>

其中，N是光酸的浓度，σ是光学相干系数，p是空间频率周期，α是光刻胶的扩散长度，CD是图像线宽尺寸，n是折射率。