[发明专利]阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的方法

权利要求书

1、阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的方法，其特征在于首先利用反应磁控溅射的方法将氮化钽薄膜沉积在微晶玻璃片上，利用离子束干法刻蚀工艺刻蚀出薄膜电阻图形，再利用直流溅射工艺将铝膜沉积在薄膜电阻之上，采用光刻胶作掩模，在酸溶液中进行铝多孔阳极氧化，除电极位置的铝外，电阻表面和周围的铝膜被完全氧化，通过控制薄膜电阻溅射厚度和铝阳极氧化电压，制得氮化钽薄膜电阻。

2、按权利要求1所述的阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的方法，其特征在于具体工艺步骤为：

A.采用反应磁控溅射和干法刻蚀的方法相结合制作电阻图形

(a)首先利用反应磁控溅射的方法将氮化担薄膜沉积在微晶玻璃片上；

(b)利用光刻胶作掩模离子束干法刻蚀工艺刻蚀出薄膜电阻图形刻蚀；

B.薄膜电阻上面沉积铝膜及氧化

(a)在薄膜电阻之上直流磁控溅射0.8～2μm厚的铝膜；

(b)采用光刻胶作掩模，在溶液中进行铝多孔阳极氧化，除电极位置的铝外，电阻表面和周围的铝膜被完全氧化；

(c)薄膜电阻表面的铝膜形成凸起结构，氮化钽电阻在氧化电压的控制下升高，并且电阻温度系数保持线性。

3、按权利要求2所述的阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的方法，其特征在于步骤A中溅射反应气体为氮气和氩气，气体流量分压比为N₂:Ar＝1:30～50。

4、按权利要求2所述的阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的方法，其特征在于步骤A中所述氮化钽薄膜的厚度在100～200nm，溅射得到的薄膜方阻为30～60Ω/口。

5、按权利要求2所述的阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的方法，其特征在于步骤B中采用直流磁控溅射铝膜的厚度为1μm。

6、按权利要求2或5所述的阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的方法，其特征在于步骤B中所述的阳极氧化溶液采用磷酸或硫酸具有中等溶解能力的溶液。

7、按权利要求2或6所述的阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的方法，其特征在于步骤B中所述的阳极氧化电压为70～90V。

8、按权利要求1～5中任一项所述的阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的方法，其特征在于钽埋置薄膜电阻温度系数为-200～-50×10^-6/℃。室温～200℃的温度范围内保持线性，经过室温～200℃的10次温度循环后电阻值变化小于1％。