[发明专利]一种低压发光宏观ZnO半导体单晶材料的制备方法无效
| 申请号： | 200710041647.9 | 申请日： | 2007-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101071835A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 郁可;张宁;朱自强;李琼;王翠翠 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/30;C30B33/00;C09K11/54 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程宗德 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 发光 宏观 zno 半导体 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低压发光宏观ZnO半导体单晶材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
第一步：将宏观ZnO半导体单晶材料固定在衬底上，放入等离子体处理器的真空室，抽真空至真空度1～5Torr；
第二步：通入H2气体，调整真空室通气阀门，使真空室中的真空度保持在10～20Torr；
第三步：打开等离子体处理器开关，调节离子体处理器功率为170～380W，使氢等离子气体轰击样品30～60分钟，得低压发光宏观ZnO半导体单晶材料。
2.如权利要求1所述的低压发光宏观ZnO半导体单晶材料的制备方法，其特征在于衬底材料为石英片或玻璃载玻片。
3.如权利要求1所述的低压发光宏观ZnO半导体单晶材料的制备方法，其特征在于宏观ZnO半导体单晶材料为宏观超长ZnO单晶片、宏观超长ZnO单晶杆或者宏观超长ZnO单晶梳。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东师范大学，未经华东师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710041647.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
