[发明专利]稀土离子或过渡金属离子掺杂的铝镁酸钪荧光衬底

权利要求书

1、一种稀土离子或过渡金属离子掺杂的铝镁酸钪荧光衬底，其特征在于该荧光衬底是：

在铝镁酸钪基质晶体中掺杂稀土离子Re³⁺作为发光中心取代钪离子Sc³⁺，位于氧离子形成的八面体中心，其结构式为：Re³⁺_x:Sc_(1-x)AlMgO₄，其中x的取值范围为：1％≤x≤5％；

或在铝镁酸钪基质晶体中掺杂过渡金属离子TM^(2～6)+作为发光中心取代铝或镁离子，位于氧离子形成的六面体中心，化学式为：xTM:ScAlMgO₄，其中掺杂过渡金属氧化物占基质料的质量比x的取值范围为：1％≤x≤10％。

2、权利要求1所述的稀土离子/过渡金属离子掺杂的铝镁酸钪荧光衬底的制备方法，其特征是在铝镁酸钪基质单晶中掺杂稀土离子Re或过渡金属离子TM制备的Re/TM:ScAlMgO₄，其反应方程式如下：

(1)稀土离子掺杂：

x(Re₂O₃)+(1-x)(Sc₂O₃)+Al₂O₃+2MgO＝2(Re_x:Sc_(1-x)AlMgO₄)；

或

2x(ReO₂)+(1-x)(Sc₂O₃)+Al₂O₃+2MgO＝2(Re_x:Sc_(1-x)AlMgO₄)+x/2O₂其中x的取值范围为：1％≤x≤5％。

(2)过渡金属离子掺杂：

TM₂O₃+Sc₂O₃+Al₂O₃+MgO→TM:ScAlMgO₄

TMO+Sc₂O₃+Al₂O₃+MgO→TM:ScAlMgO₄。

3、根据权利要求2所述稀土离子/过渡金属离子掺杂的铝镁酸钪荧光衬底的制备方法，其特征在于所述的制备方法为提拉法、温度梯度法、坩埚下降法、热交换法或浮区法。

4、根据权利要求2所述稀土离子/过渡金属离子掺杂的铝镁酸钪荧光衬底的制备方法，其特征在于所述的稀土离子Re包括La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu离子。

5、根据权利要求2所述稀土离子/过渡金属离子掺杂的铝镁酸钪荧光衬底的制备方法，其特征在于所述的过渡金属离子TM包括Ti、Cr、Mn、Co、Ni、Nb、Cd、Mo、Fe、Cu、Zn或V离子。