[发明专利]光学近距修正方法、光掩模版制作方法及图形化方法有效
| 申请号： | 200710042130.1 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101329506A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 何大权 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 近距 修正 方法 模版 制作方法 图形 | ||
1.一种光学近距修正方法，其中，对目标布局图形的模拟光学曝光条件、对修正布局图形的模拟光学曝光条件、以及形成晶圆图形的光学曝光条件一致，其特征在于，包括下列步骤：
a.确定横向最大尺寸和纵向最大尺寸均未达到目标尺寸的晶圆图形；
b.对上述晶圆图形的目标布局图形进行模拟，得到目标布局图形的模拟图形，所述目标布局图形的模拟图形横向最大尺寸和纵向最大尺寸中的一个尺寸与晶圆图形相同；
c.将目标布局图形的模拟图形横向最大尺寸和纵向最大尺寸中与晶圆图形不相同的另一个尺寸进行相减，得到模拟偏差值；
d.如果模拟偏差值为横向最大尺寸模拟偏差值，对目标布局图形进行横向修正，得到修正布局图形；如果模拟偏差值为纵向最大尺寸模拟偏差值，对目标布局图形进行纵向修正，得到修正布局图形；
e.对修正布局图形进行模拟，直至与模拟偏差值方向对应的修正布局图形的模拟图形减去目标布局图形尺寸等于模拟偏差值。
2.根据权利要求1所述光学近距修正方法，其特征在于：所述目标尺寸为目标布局图形尺寸。
3.一种光掩模版制作方法，其中，对目标布局图形的模拟光学曝光条件、对修正布局图形的模拟光学曝光条件、以及形成晶圆图形的光学曝光条件一致，其特征在于，包括下列步骤：
a.确定横向最大尺寸和纵向最大尺寸均未达到目标尺寸的晶圆图形；
b.对上述晶圆图形的目标布局图形进行模拟，得到目标布局图形的模拟图形，所述目标布局图形的模拟图形横向最大尺寸和纵向最大尺寸中的一个尺寸与晶圆图形相同；
c.将目标布局图形的模拟图形横向最大尺寸和纵向最大尺寸中与晶圆图形不相同的另一个尺寸进行相减，得到模拟偏差值；
d.如果模拟偏差值为横向最大尺寸模拟偏差值，对目标布局图形进行横向修正，得到修正布局图形；如果模拟偏差值为纵向最大尺寸模拟偏差值，对目标布局图形进行纵向修正，得到修正布局图形；
e.对修正布局图形进行模拟，直至与模拟偏差值方向对应的修正布局图形的模拟图形减去目标布局图形尺寸等于模拟偏差值；
f.将修正布局图形转移至光掩模版上，形成掩模图形。
4.一种图形化方法，其中，对目标布局图形的模拟光学曝光条件、对修正布局图形的模拟光学曝光条件、以及形成晶圆图形的光学曝光条件一致，其特征在于，包括下列步骤：
a.确定横向最大尺寸和纵向最大尺寸均未达到目标尺寸的晶圆图形；
b.对上述晶圆图形的目标布局图形进行模拟，得到目标布局图形的模拟图形，所述目标布局图形的模拟图形横向最大尺寸和纵向最大尺寸中的一个尺寸与晶圆图形相同；
c.将目标布局图形的模拟图形横向最大尺寸和纵向最大尺寸中与晶圆图形不相同的另一个尺寸进行相减，得到模拟偏差值；
d.如果模拟偏差值为横向最大尺寸模拟偏差值，对目标布局图形进行横向修正，得到修正布局图形；如果模拟偏差值为纵向最大尺寸模拟偏差值，对目标布局图形进行纵向修正，得到修正布局图形；
e.对修正布局图形进行模拟，直至与模拟偏差值方向对应的修正布局图形的模拟图形减去目标布局图形尺寸等于模拟偏差值；
f.将修正布局图形转移至光掩模版上，形成掩模图形；
g.将掩模图形转移至晶圆上，形成晶圆图形。
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