[发明专利]通孔刻蚀方法及通孔区内钝化层去除方法有效
| 申请号： | 200710042144.3 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101330019A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 刘乒;尹晓明;马擎天;张世谋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 区内 钝化 去除 | ||
1.一种通孔刻蚀方法，包括：
提供半导体基底；
在所述半导体基底上顺次沉积钝化层及介质层；
在所述介质层上形成具有通孔图形的抗蚀剂层；
以所述具有通孔图形的抗蚀剂层为掩膜，刻蚀所述介质层；
以所述具有通孔图形的抗蚀剂层或已刻蚀的所述介质层为掩膜，采用含氟无碳气体刻蚀所述钝化层，以形成通孔。
2.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：在沉积钝化层之前，还包括沉积氧化层的步骤。
3.根据权利要求2所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：在形成通孔之前，还包括刻蚀所述氧化层的步骤。
4.根据权利要求1或2或3所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述钝化层材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅或碳氮化硅中的一种或其组合。
5.根据权利要求1或2或3所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述含氟无碳气体包括但不限于三氟化氮、氟化硅或氟化氢中的一种或其组合。
6.一种去除通孔区内钝化层的方法，包括：
提供半导体基底；
在所述半导体基底上顺次沉积钝化层及具有接触窗的介质层，所述接触窗用以定义通孔区；
采用含氟无碳气体刻蚀所述通孔区内所述钝化层。
7.根据权利要求6所述的去除通孔区内钝化层的方法，其特征在于：沉积所述具有接触窗的介质层的步骤包括：
在所述钝化层上沉积所述介质层；
刻蚀所述介质层，以形成所述具有接触窗的介质层。
8.根据权利要求7所述的去除通孔区内钝化层的方法，其特征在于：形成所述接触窗的步骤包括：
在所述介质层上形成具有通孔图形的抗蚀剂层；
以所述具有通孔图形的抗蚀剂层为掩膜，刻蚀所述介质层，以形成所述接触窗。
9.根据权利要求6或7或8所述的去除通孔区内钝化层的方法，其特征在于：在沉积所述钝化层之前，还包括沉积氧化层的步骤。
10.根据权利要求6或7或8所述的去除通孔区内钝化层的方法，其特征在于：所述钝化层材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅或碳氮化硅中的一种或其组合。
11.根据权利要求6或7或8所述的去除通孔区内钝化层的方法，其特征在于：所述含氟无碳气体包括三氟化氮、氟化硅或氟化氢中的一种或其组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
