[发明专利]刻蚀工艺条件的检验及优化方法

权利要求书

1、一种刻蚀工艺条件的检验方法，其特征在于，包括步骤：

提供第一衬底和第二衬底；

在所述第一衬底上沉积停止层；

在所述停止层上沉积具有第一厚度的材料层；

在所述第二衬底上沉积具有第二厚度的材料层，且所述第一厚度不大于所述第二厚度；

在所述第一衬底和第二衬底的材料层上分别定义刻蚀图形；

对所述第一衬底和第二衬底上的所述材料层进行刻蚀；

对所述刻蚀的结果进行检测，当所述第一衬底上的刻蚀图形底部未露出衬底，所述第二衬底上的刻蚀图形底部已露出衬底时，确定所述刻蚀工艺条件满足工艺窗口的要求。

2、如权利要求1所述的检验方法，其特征在于：所述第一厚度小于所述第二厚度。

3、如权利要求2所述的检验方法，其特征在于：所述第一衬底和第二衬底的材料层上的所述刻蚀图形相同。

4、如权利要求1所述的检验方法，其特征在于：所述刻蚀图形包含各种尺寸、和/或形状、和/或密集度的图形。

5、如权利要求1或4所述的检验方法，其特征在于：所述第一衬底和第二衬底的材料层上的所述刻蚀图形不相同。

6、如权利要求1所述的检验方法，其特征在于：对所述刻蚀的结果进行检测，包括步骤：

通过电子束扫描的方法检测所述刻蚀图形底部是否露出衬底。

7、如权利要求1所述的检验方法，其特征在于：所述材料层至少包含介质层或半导体材料层中的一种。

8、一种刻蚀工艺条件的优化方法，其特征在于，包括步骤：

提供第一衬底和第二衬底；

在所述第一衬底上沉积停止层；

在所述停止层上沉积具有第一厚度的材料层；

在所述第二衬底上沉积具有第二厚度的材料层，且所述第一厚度不大于所述第二厚度；

在所述第一衬底和第二衬底的材料层上分别定义刻蚀图形；

对所述第一衬底和第二衬底上的所述材料层进行刻蚀；

对所述刻蚀的结果进行检测，并调整所述刻蚀的工艺条件：

当所述第一衬底和第二衬底的材料层上的刻蚀图形底部已露出衬底时，减小刻蚀工艺中的刻蚀时间设置值，或者调整刻蚀工艺中的气体流量设置值、压力设置值或温度设置值降低刻蚀速率；

当所述第一衬底和第二衬底的材料层上的刻蚀图形底部均未露出衬底时，增大刻蚀工艺中的刻蚀时间设置值，或者调整刻蚀工艺中的气体流量设置值、压力设置值或温度设置值增大刻蚀速率；

当所述第一衬底的材料层上的刻蚀图形底部已露出衬底，所述第二衬底的材料层上的刻蚀图形底部未露出衬底时，调整刻蚀工艺中的气体流量设置值或压力设置值以增大所述材料层与所述停止层间的选择比，或者增大所述停止层的厚度。

9、如权利要求8所述的优化方法，其特征在于：所述第一厚度小于所述第二厚度。

10、如权利要求9所述的优化方法，其特征在于：所述第一衬底和所述第二衬底的材料层上的所述刻蚀图形相同。

11、如权利要求10所述的优化方法，其特征在于：所述刻蚀图形包含各种尺寸、和/或形状、和/或密集度的图形。

12、如权利要求8或11所述的优化方法，其特征在于：所述第一衬底和第二衬底的材料层上的所述刻蚀图形不相同。

13、如权利要求8所述的优化方法，其特征在于：对所述刻蚀的结果进行检测，包括步骤：

通过电子束扫描的方法检测所述刻蚀图形的底部是否露出衬底。

14、如权利要求8所述的优化方法，其特征在于：当所述第一衬底的材料层的刻蚀图形底部未露出衬底，所述第二衬底的材料层上的刻蚀图形底部已露出衬底时，调整刻蚀工艺中的气体流量设置值或压力设置值以提高所述材料层的刻蚀速率，或者减小所述停止层的厚度。

15、如权利8所述的优化方法，其特征在于：所述材料层至少包含介质层或半导体材料层中的一种。