[发明专利]栅极结构及其制造方法

权利要求书

1.一种栅极结构制造方法，包括：

在半导体基底上形成第一介质层；

沉积栅层，此栅层覆盖所述第一介质层；

沉积第二介质层，此第二介质层覆盖所述栅层；

刻蚀所述第二介质层及栅层；

沉积第三介质层，此第三介质层覆盖所述第二介质层及栅层；

刻蚀所述第三介质层。

2.根据权利要求1所述的栅极结构制造方法，其特征在于：所述第一介质层材料包含二氧化硅或掺杂铪的二氧化硅。

3.根据权利要求1或2所述的栅极结构制造方法，其特征在于：所述栅层材料包含多晶硅。

4.根据权利要求1所述的栅极结构制造方法，其特征在于：所述第二介质层材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或其组合。

5.根据权利要求1所述的栅极结构制造方法，其特征在于：所述第三介质层包含二氧化硅或二氧化硅与氮氧化硅及/或氮化硅，或二氧化硅、氮氧化硅及/或氮化硅与二氧化硅以及二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氮氧化硅与二氧化硅构成的层叠结构中的一种。

6.根据权利要求4或5所述的栅极结构制造方法，其特征在于：所述第二介质层的厚度小于或等于所述第三介质层层叠结构中二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或其组合层的厚度。

7.一种栅极结构，包含位于半导体基底上的第一介质层、位于所述第一介质层上的栅极和位于所述栅极上的第二介质层以及环绕所述栅极和第二介质层的第三介质层，所述第三介质层至少部分覆盖所述第二介质层的侧壁。

8.根据权利要求7所述的栅极结构，其特征在于：所述第二介质层材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或其组合。

9.根据权利要求7所述的栅极结构，其特征在于：所述第三介质层包含二氧化硅或二氧化硅与氮氧化硅及/或氮化硅，或二氧化硅、氮氧化硅及/或氮化硅与二氧化硅以及二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氮氧化硅与二氧化硅构成的层叠结构中的一种。

10.根据权利要求8或9所述的栅极结构，其特征在于：所述第二介质层的厚度小于或等于所述第三介质层层叠结构中二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或其组合层的厚度。