[发明专利]晶片表面材料层的处理系统和方法有效
| 申请号： | 200710042157.0 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101329984A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 吴汉明;张春光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/268;H01L21/3105;H01L21/336;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 表面 材料 处理 系统 方法 | ||
1、一种晶片表面材料层的处理系统，所述系统包括处理室、射频功率源，和与所述射频功率源连接的激励线圈，所述处理室内上部充满被所述射频功率源和激励线圈电离的等离子体，半导体晶片置于所述处理室内底部，在所述等离子体与所述半导体晶片之间具有透明材料层，所述等离子体发射的紫外光透过所述透明材料层照射在所述半导体晶片表面材料层。
2、如权利要求1所述的系统，其特征在于：所述透明材料层为玻璃。
3、如权利要求2所述的系统，其特征在于：所述玻璃为石英玻璃。
4、如权利要求2所述的系统，其特征在于：所述玻璃为硼硅玻璃。
5、如权利要求1所述的系统，其特征在于：所述等离子体为惰性气体等离子体。
6、如权利要求5所述的系统，其特征在于：所述惰性气体为氩气Ar、氦气He、氖气Ne、氙气Xe、氪气Ke中的一种或组合。
7、如权利要求1所述的系统，其特征在于：所述激励线圈位于所述处理室顶部。
8、如权利要求1所述的系统，其特征在于：所述激励线圈位于所述处理室顶部和侧部。
9、如权利要求1所述的系统，其特征在于：所述处理室底部、半导体晶片下方具有反射层。
10、如权利要求1所述的系统，其特征在于：所述晶片表面材料为氮化硅层。
11、如权利要求1所述的系统，其特征在于：所述射频功率源的输出功率范围为100W-2200W。
12、如权利要求1所述的系统，其特征在于：所述处理室内的压力为3mT-500mT。
13、如权利要求1所述的系统，其特征在于：所述晶片表面材料为低介电常数材料层。
14、一种紫外线产生装置，具有一反应室，和射频功率源以及与所述射频源连接的激励线圈，所述反应室内具有一透明材料隔板，所述隔板上方充满惰性气体，所述射频功率源通过激励线圈将所述惰性气体电离为等离子体，电离过程中发出的紫外线穿过所述透明材料隔板。
15、如权利要求14所述的装置，其特征在于：所述透明材料隔板为玻璃。
16、如权利要求15所述的装置，其特征在于：所述玻璃为石英玻璃。
17、如权利要求15所述的装置，其特征在于：所述玻璃为硼硅玻璃。
18、如权利要求14所述的装置，其特征在于：所述惰性气体为氩气Ar、氦气He、氖气Ne、氙气Xe、氪气Ke中的一种或组合。
19、如权利要求14所述的装置，其特征在于：所述激励线圈位于所述反应室外顶部。
20、如权利要求14所述的装置，其特征在于：所述激励线圈位于所述处理室外顶部和侧部。
21、如权利要求14所述的装置，其特征在于：所述射频功率源的输出功率范围为100W-2200W。
22、如权利要求14所述的装置，其特征在于：所述反应室内的压力为3mT-500mT。
23、一种晶片表面材料层的处理方法，包括：
将表面具有待处理材料层的晶片置于反应室底部；
在所述反应室中横向放置透明材料隔板；
在所述隔板上方通入惰性气体；
通过射频功率源激发反应室顶部和/或侧部的激励线圈将所述惰性气体电离为等离子体，电离过程中产生的紫外线穿过所述隔板照射到所述材料层表面。
24、如权利要求23所述的方法，其特征在于：所述透明材料隔板为玻璃。
25、如权利要求24所述的方法，其特征在于：所述玻璃为石英玻璃。
26、如权利要求24所述的方法，其特征在于：所述玻璃为硼硅玻璃。
27、如权利要求23所述的方法，其特征在于：所述惰性气体为氩气Ar、氦气He、氖气Ne、氙气Xe、氪气Ke中的一种或组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
