[发明专利]用于化学干式蚀刻系统的系统和方法有效
申请号: | 200710042161.7 | 申请日: | 2007-06-18 |
公开(公告)号: | CN101329985A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 李卫东;沈祥江;周润锋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/67;G05B19/048;G05D16/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐谦;杨红梅 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 化学 蚀刻 系统 方法 | ||
1.一种用于化学干式蚀刻系统的排气系统,在化学干式蚀刻系统中,一种或多种气体被引入第一室中,经过微波功率源处理以形成一种或多种等离子体物质,所述一种或多种等离子体物质从第一室传递到第二室,其中在所述第二室,至少一个衬底经受一种或多种等离子体物质,在所述至少一个衬底经受所述一种或多种等离子体物质后,通过一种排气系统来处理所述一种或多种等离子体物质,所述排气系统包括:
系统控制器,配置成接收多个反馈信号并提供多个控制信号;
抽运设备,配置成响应于来自所述由系统控制器的多个控制信号中的启动信号而启动,并将所述多个反馈信号中的验证信号提供到所述系统控制器;
第一阀,配置成响应于从所述系统控制器所接收的所述多个控制信号中的第一信号而打开,并响应于从所述系统控制器所接收的所述多个控制信号中的第二信号而关闭;
传输装置,包括第一连接和第二连接,其中所述第一连接连接到所述第一阀,且所述第二连接连接到所述抽运设备;
压力量具,配置成测量所述传输装置的压力,并将所述多个反馈信号中的压力信号提供到所述系统控制器,其中所述多个反馈信号中的压力信号与所述传输装置的测量压力相关联。
2.权利要求1的排气系统,其中所述第一室是石英管。
3.权利要求1的排气系统,其中所述第一阀包括Pirani量具。
4.权利要求1的排气系统,其中所述抽运设备是干泵。
5.权利要求1的排气系统,其中所述压力量具配置成实时连续地测量所述传输装置的压力。
6.权利要求1的排气系统,其中所述压力量具能够测量10Torr范围内的压力。
7.权利要求1的排气系统,其中所述系统控制器响应于所述多个反馈信号中指示所述抽运设备未接通的验证信号,将重启信号提供到所述抽运设备。
8.权利要求1的排气系统,其中所述系统控制器响应于所述多个反馈信号中指示所述抽运设备未接通所述验证信号,提供所述多个控制信号中的第三信号来停止所述排气系统。
9.权利要求1的排气系统,其中所述第二室包括工艺室。
10.权利要求9的排气系统,其中所述工艺室包括工艺室排气装置。
11.权利要求10的排气系统,其中所述工艺室排气装置配置成响应于所述多个控制信号中的启动信号而启动。
12.一种用于化学干式蚀刻系统的排气系统的操作方法,在化学干式蚀刻系统中,一种或多种气体被引入到第一室中,并经过微波功率源处理以形成一种或多种等离子体物质,所述一种或多种等离子体物质从所述第一室传递到所述第二室,其中在所述第二室,至少一个衬底经受一种或多种等离子体物质,在所述至少一个衬底经受所述一种或多种等离子体物质后,所述一种或多种等离子体物质,通过一种排气系统来处理,所述排气系统的操作方法包括:
将第一启动信号从系统控制器发送到抽运设备,其中所述抽运设备排放来自传输装置的多种气体;
在发送所述第一启动信号后的第一预定时段后通过压力量具测量所述传输装置中的压力;
通过所述系统控制器来获得与所述压力相关的多个数据;确定所述压力是否在预定阈值压力以下。
13.权利要求12的方法,进一步包括如果所述压力不在所述预定阈值压力以下则将第二启动信号发送到所述抽运设备。
14.权利要求12的方法,进一步包括如果所述压力不在所述预定阈值压力以下则停止所述排气系统。
15.权利要求12的方法,进一步包括如果所述压力在所述预定阈值压力以下则打开第一阀。
16.权利要求12的方法,进一步包括如果所述压力在所述预定阈值压力以下则将第二启动信号从所述系统控制器发送到所述第二室。
17.权利要求12的方法,其中所述阈值压力为7.5Torr。
18.权利要求12的方法进一步包括将验证信号从所述抽运设备发送到所述系统控制器,所述验证信号指示在第二预定时段后所述抽运设备是否接通。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710042161.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:从丹参废渣中提取丹参酮的方法
- 下一篇:焊接金球的去除方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造