[发明专利]用于在存储器结构中形成自对准共源极的方法和装置有效
| 申请号： | 200710042205.6 | 申请日： | 2007-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101330056A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 吴佳特;李绍彬;高建玉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 结构 形成 对准 共源极 方法 装置 | ||
1.一种用于在存储器结构中形成自对准共源极的方法，包括以下步骤：
在基底上形成多条字线，其中每条字线的两侧分别为源极区域和漏极区域；
在所述源极区域进行光刻以形成光阻层，其中所述光阻层覆盖所述漏极区域；
对所述光阻层未覆盖的源极区域进行蚀刻以将所有源极区域连通为共源区域；以及
通过离子束对所述共源区域进行离子注入以形成所述自对准共源极，所述离子束的入射方向与基底表面的法线相隔一倾斜角，
其中所述进行离子注入的步骤包括以下步骤：
以第一入射方向和/或以第二入射方向进行离子注入，
其中，所述第一入射方向和所述第二入射方向分别位于所述基底表面的法线的两侧，并分别与所述法线相隔第一倾斜角和第二倾斜角，并且
其中所述第一倾斜角与所述第二倾斜角不同。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在所述进行离子注入的步骤后去除所述光阻层；以及
对所述基底进行退火。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述倾斜角为10-30度。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子束为砷离子束。
5.一种用于在存储器结构中形成自对准共源极的设备，包括：
字线形成装置，用于在基底上形成多条字线，其中每条字线的两侧分别为源极区域和漏极区域；
光刻装置，用于在所述源极区域进行光刻以形成光阻层，其中所述光阻层覆盖所述漏极区域和部分字线；
蚀刻装置，用于对所述光阻层未覆盖的源极区域进行蚀刻以将所有源极区域连通为共源区域；以及
离子注入装置，用于通过离子束对所述共源区域进行离子注入以形成所述自对准共源极，所述离子束的入射方向与基底表面的法线相隔一倾斜角，其中所述离子注入装置以第一入射方向和/或以第二入射方向进行离子注入，
其中，所述第一入射方向和所述第二入射方向分别位于所述基底表面的法线的两侧，并分别与所述法线相隔第一倾斜角和第二倾斜角，并且
其中所述第一倾斜角与所述第二倾斜角不同。
6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，还包括：
退火装置，用于对去除所述光阻层的所述基底进行退火。
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