[发明专利]具有嵌入式EEPROM的电可编程器件及其制作方法

权利要求书

1.一种用于制作半导体器件的方法，该方法包括：

提供一衬底，区分出第一器件区和第二器件区；

在所述第一器件区和所述第二器件区中生长第一栅氧化物层；

在所述第一器件区中形成第一扩散区，并且在所述第二器件区中形成第二扩散区和第三扩散区；

注入第一多个离子以在所述第一器件区中形成第四扩散区以及在所述第二器件区中形成第五扩散区，所述第四扩散区与所述第一扩散区重叠；

在所述第一器件区中形成第一栅，并且在所述第二器件区中形成第二栅和第三栅；

在所述第一栅、所述第二栅、所述第三栅以及所述第一栅氧化物层上沉积第一电介质层；

对所述第一器件区中位于所述第一栅一侧的所述第一栅氧化物层的第一部分以及所述第一电介质层的第一和第二部分进行蚀刻，所述第一电介质层的第一部分在所述第一栅上，所述第一电介质层的第二部分在所述第一栅氧化物层的第一部分上；

在第一器件区中生长栅间氧化物层和第二栅氧化物层，所述栅间氧化物层在所述第一栅上，所述第二栅氧化物层在所述衬底上；

至少在所述第一器件区中的所述第二栅氧化物层、所述栅间氧化物层以及所述第一电介质层上形成第四栅；

在所述第二器件区中的第一电介质层上形成第五栅；

注入第二多个离子以形成多个源区和多个漏区；

其中，所述对所述第一器件区中的所述第一电介质层的第一和第二部分以及所述第一栅氧化物层的第一部分进行蚀刻不去除所述第二器件区中的所述第一电介质层的任何部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一电介质层包括第一氧化硅子层、氮化硅子层和第二氧化硅子层。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一氧化硅子层、所述氮化硅子层和所述第二氧化硅子层中每一个具有范围从30到150的厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述栅间氧化物层具有范围从100到250的厚度。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述厚度等于210

6.如权利要求1所述的方法，其中所述形成第四栅包括：

至少在所述第一器件区中的第二栅氧化物层、栅间氧化物层以及第一电介质层上沉积第一导电层；

对所述第一导电层的第一部分进行蚀刻；

其中，所述第一导电层的第一部分包括位于所述第一栅上的部分和位于所述第一栅另一侧的部分，所述第一栅另一侧不具有所述第二栅氧化物层；

对所述第一导电层的第二部分以及所述第二栅氧化物层的第一部分进行蚀刻；

其中，所述第一导电层的第二部分和所述第二栅氧化物层的第一部分位于所述第一栅的一侧，所述第一栅的一侧具有所述第二栅氧化物；

其中，对所述第一导电层的第一部分进行蚀刻包括使用所述第一电介质层作为蚀刻停止层。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：

在沉积所述第一电介质层后，蚀刻所述第一栅氧化物层的第一部分以及所述第一电介质层的第一和第二部分前，在所述第一器件区和所述第二器件区中的所述第一栅氧化物层上形成第一光致抗蚀剂层；

其中，所述第一栅氧化物层的第一部分暴露于所述第一器件区中。

8.如权利要求7所述的方法，还包括：

对所述第一栅氧化物层的所述第一部分进行蚀刻以将所述衬底的第一部分暴露于所述第二器件区中；

在所述衬底的所述第一部分上生长隧穿氧化物层。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述注入第一多个离子工艺具有范围从5KeV到100KeV的注入能量以及范围从1E12到2E14 1/cm²的注入剂量。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述第一多个离子包括从由用于N沟道单元的B、BF2、In离子构成的组中所选择的至少一种。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述形成第四栅在所述形成第五栅之前或之后进行。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述注入第二多个离子包括：

至少形成轻掺杂源区；

至少形成源。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述第一栅、所述第二栅、所述第三栅、所述第四栅以及所述第五栅中每一个包括多晶硅。