[发明专利]浅沟槽隔离的制造方法

权利要求书

1、一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有垫氧化层和硬掩膜层，在所述硬掩膜层和垫氧化层中具有开口，在所述半导体衬底中与开口相应位置具有沟槽；

在所述沟槽、开口中和硬掩膜层上沉积介质材料，通过平坦化工艺去除所述硬掩膜层上的介质材料；

测量所述开口中的介质材料的表面与硬掩膜层表面的高度差；

根据所述高度差、硬掩膜层和垫氧化层的厚度、形成浅沟槽隔离结构后沟槽中的介质材料表面与半导体衬底表面的目标高度差，计算需要移除的介质材料的厚度X，其中，计算所述厚度X时要预留去除垫氧化层工艺中对所述介质材料的消耗；

刻蚀所述开口中的介质材料，移除厚度为X的介质材料；

去除所述硬掩膜层和垫氧化层。

2、如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：刻蚀所述开口中的介质材料步骤中的刻蚀为湿法刻蚀或干法刻蚀。

3、如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：刻蚀所述开口中的介质材料的步骤中的刻蚀为湿法刻蚀，且所述湿法刻蚀的刻蚀溶液对所述介质材料的刻蚀速率比对所述硬掩膜层的刻蚀速率大。

4、如权利要求3所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：通过控制刻蚀时间控制该湿法刻蚀移除的介质材料的厚度。

5、如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：刻蚀所述开口中的介质材料的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀分为多次进行，且所述湿法刻蚀的刻蚀溶液浓度随着刻蚀次数增加而减小，通过控制每次刻蚀的刻蚀时间控制该次湿法刻蚀移除的介质材料的厚度。

6、如权利要求3至5中任一权利要求所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：所述湿法刻蚀的刻蚀溶液为氢氟酸溶液。

7、如权利要求6所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：所述氢氟酸溶液中氢氟酸与水的容积比为1∶200至1∶50。

8、如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：刻蚀所述开口中的介质材料的方法为干法刻蚀；在所述干法刻蚀之前，在所述硬掩膜层上形成保护层；在完成所述干法刻蚀之后，去除所述保护层。

9、如权利要求8所述浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：通过控制所述干法刻蚀的时间来控制移除的介质材料的厚度。

10、如权利要求8所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：所述保护层为光刻胶。

11、如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：用磷酸溶液湿法刻蚀去除所述硬掩膜层；用氢氟酸溶液湿法刻蚀去除所述垫氧化层。