[发明专利]氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料有效

专利信息
申请号: 200710042359.5 申请日: 2007-06-21
公开(公告)号: CN101074377A 公开(公告)日: 2007-11-21
发明(设计)人: 任国浩;裴钰;陈晓峰;沈勇;李中波;陆晟 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C09K11/85 分类号: C09K11/85
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 离子 掺杂 氯化 闪烁 材料
【说明书】:

技术领域

发明涉及氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料及其应用,属于闪烁材 料领域。

技术背景

铈掺杂氯化镧(LaCl3:Ce)是在1999年由荷兰科学家O.Guillot 等发现的一种新型闪烁晶体,属于六方晶系,空间群为P63/m,密度 为3.86g/cm3,熔点为859℃。当时,他们采用炉体相对坩埚垂直移 动的Bridgman方法生长出了体积为φ5×40mm3的LaCl3:0.57%Ce的晶 体。2002年,C.P.Allier等用雪崩二极管测得φ8×2.5mm3的LaCl3:Ce 晶体在662keV γ-射线激发下的光输出高达46000±5000ph/MeV,能 量分辨率3.2%,快衰减(25ns),好的时间分辨率(224ps),好的线 性响应和小的余辉等。其优异的闪烁性能预示它们将在核医学成像 (PET,SPECT等)、安全检查、地质勘探、油井探测等方面都有非常广 阔的应用前景。

2003年,K.S.Shah等学者利用石英坩埚,采用真空密封和化学 反应的方法处理原料,用Bridgman法生长出尺寸约为2.5cm3的 LaCl3:Ce晶体。但是由于原料中存在的结晶水和水在高温下的氧化、 挥发性等原因,在晶体生长过程中易造成石英坩埚的炸裂,导致生长 失败。此外,对于原料中的水或其它含氧杂质还会与LaCl3反应,形 成氯氧化镧(LaOCl),从而使晶体失透和闪烁性能下降。2005年, 一种经改进的非真空坩埚下降法生长氯化镧(LaCl3)晶体的方法实 现了该晶体在大气条件下的生长,为低成本制备该晶体奠定了基础。

对于氯化镧晶体,一个致命的弱点就是易潮解。晶体表面一旦与 空气接触便迅速溶解,形成水溶液,从而给性能研究和实际应用带来 不少难题。通常,国际上对付易潮解晶体的解决办法是采用在晶体表 面镀膜或真空封装等措施,这些办法不仅工艺复杂,成本高,而且一 旦晶体表面受到磨损,潮解作用便迅速蔓延。鉴于氯化镧晶体良好的 闪烁性能,如何有效地克服其潮解性能自然成为国内外众多科研人员 的研究目标。但时至今日,但没有找到比较好的解决办法。

本发明从氯化镧晶体产生潮解的物理化学机理入手,根据化学成 分和晶体结构对表面力的影响,试图从根本上克服该晶体的潮解问 题。

本发明的核心是:在晶体生长过程中,掺入CeF3、YF3、LaF3、BaF2、 CaF2等含氟离子(F-),增加阴离子的极化能力,从而降低晶体的潮解 性,采用非真空坩埚下降法生长出闪烁性能稳定且抗潮解性强的氟氯 化镧晶体。

发明内容

本发明涉及一种潮解性能改善的氟氯化镧掺铈(LaCl3(1-X)F3X:Ce) 材料,这种材料具有小的衰减时间常数,高的光输出和好的能量分辨 率,且这些参数与氯化镧掺铈(LaCl3:Ce)材料基本相当。与氯化镧 掺铈(LaCl3:Ce)相比,这种氟氯化镧掺铈(LaCl3(1-X)F3X:Ce)材料的 突出特点是抗潮解性能得到了明显提高,即便在空气中放置很长时 间,材料的表面依然能够保持比较好的化学稳定性和物理光泽,从而 大大拓宽了该材料的使用空间和应用领域。

这种材料是在氯化镧掺铈晶体生长过程中引入含氟离子的无机 化合物,首先是CexLaCl3(1-x)F3x,其中x是置换Ce的摩尔比,这里x 大于或等于0.01摩尔%,小于50摩尔%,甚至小于或等于20摩尔 %。

其次组成为MxCezLa(1-x-z)Cl3(1-x)Fy的无机闪烁材料。

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