[发明专利]一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 200710042360.8 申请日: 2007-06-21
公开(公告)号: CN101074170A 公开(公告)日: 2007-11-21
发明(设计)人: 王根水;董显林 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B41/52 分类号: C04B41/52;C04B35/491;H01L21/316
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅基锆钛酸 铅铁 电厚膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜的制备方法,包括先驱体的配制、 甩胶、干燥、热解、退火步骤,其特征在于包括下述步骤:

(1)将醋酸铅、异丙醇锆、正丙醇钛加入有机溶剂中,采用聚 乙烯醇和乙酰丙酮控制粘度和稳定度,在干燥气氛下通过蒸馏,回流, 过滤配制成锆钛酸铅铁电厚膜先驱体溶液,溶液的浓度大于0.5摩尔 /升,所述的有机溶剂溶剂为乙二醇甲醚或醋酸,乙二醇甲醚或醋酸 与聚乙烯醇与乙酰丙酮的体积比为:20~40∶5∶1~2;

(2)在清洗的硅基片上制备镍酸镧过渡层;

(3)在镍酸镧过渡层上通过锆钛酸铅铁电厚膜先驱体溶液的甩 胶、干燥、退火备所需厚度的厚膜材料。

2.按权利要求1所述的一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜的制备方 法,其特征在于所述的镍酸镧过渡层制备方法是以醋酸镍和醋酸镧为 起始原料,溶解在醋酸和水的混合溶液中,形成浓度为0.2摩尔/升 的镍酸镧先驱体溶液,将镍酸镧先驱体溶液通过甩胶沉积到处理好的 硅基片上,经过干燥、热解、退火制备。

3.按权利要求1或2所述的一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜的制备 方法,其特征在于过渡层的厚度在100~300纳米。

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