[发明专利]一种可避免快速热处理被氧气污染的方法有效
申请号: | 200710042411.7 | 申请日: | 2007-06-22 |
公开(公告)号: | CN101329988A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 许世勋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 避免 快速 热处理 氧气 污染 方法 | ||
1.一种可避免快速热处理被氧气污染的方法,其在进行快速热处理前进行,该快速热处理在一快速热处理设备中进行,该快速热处理设备至少具有一热处理腔室和一在该腔室氧气浓度超过一标准值时发出警示的氧气超标警示器,该氧气超标警示器具有用于设定该标准值的设定单元,该腔室底部由上至下依次设置有用于放置晶圆的承片架、与该承片架垂直的多个支撑探针和用于容置该支撑探针的容置凹槽,该支撑探针可从容置凹槽中弹出将晶圆从承片架上顶起,其特征在于,该可避免快速热处理被氧气污染的方法包括以下步骤:(1)对该热处理腔室进行一预设参数的设定;(2)通过设定单元将该标准值设定为非正常警示值,并开启氧气超标警示器,且静置一预设时间,其中,该热处理腔室中最高氧气浓度低于该非正常警示值;(3)驱动支撑探针多次弹出和缩进该容置凹槽,以将该容置凹槽中残留的氧气排出;(4)通过设定单元将该标准值设定为正常警示值,以使该氧气超标警示器对热处理腔室的漏气发出警示。
2.如权利要求1所述的可避免快速热处理被氧气污染的方法,其特征在于,该热处理腔室顶部设置有加热单元,该加热单元具有一最大功率。
3.如权利要求2所述的可避免快速热处理被氧气污染的方法,其特征在于,在步骤1中,该预设参数为:加热单元的功率为最大功率的9%,氮气流量为5升每分钟。
4.如权利要求1所述的可避免快速热处理被氧气污染的方法,其特征在于,在步骤2中,该预设时间为10秒。
5.如权利要求1所述的可避免快速热处理被氧气污染的方法,其特征在于,在步骤3中,该支持探针弹出和缩进容置凹槽的时间间隔为10秒。
6.如权利要求1所述的可避免快速热处理被氧气污染的方法,其特征在于,氧气浓度的正常警示值范围为五百万分之一至九百万分之一。
7.如权利要求1所述的可避免快速热处理被氧气污染的方法,其特征在于,该热处理腔室还在该承片架和该支撑探针间设置有用于保温的反射平板,该反射平板设置有供支撑探针穿过的通孔。
8.如权利要求1所述的可避免快速热处理被氧气污染的方法,其特征在于,该热处理腔室还具有进气口和出气口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710042411.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造