[发明专利]一种可避免快速热处理被氧气污染的方法有效

专利信息
申请号: 200710042411.7 申请日: 2007-06-22
公开(公告)号: CN101329988A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: 许世勋 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 王洁
地址: 2012*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 避免 快速 热处理 氧气 污染 方法
【权利要求书】:

1.一种可避免快速热处理被氧气污染的方法,其在进行快速热处理前进行,该快速热处理在一快速热处理设备中进行,该快速热处理设备至少具有一热处理腔室和一在该腔室氧气浓度超过一标准值时发出警示的氧气超标警示器,该氧气超标警示器具有用于设定该标准值的设定单元,该腔室底部由上至下依次设置有用于放置晶圆的承片架、与该承片架垂直的多个支撑探针和用于容置该支撑探针的容置凹槽,该支撑探针可从容置凹槽中弹出将晶圆从承片架上顶起,其特征在于,该可避免快速热处理被氧气污染的方法包括以下步骤:(1)对该热处理腔室进行一预设参数的设定;(2)通过设定单元将该标准值设定为非正常警示值,并开启氧气超标警示器,且静置一预设时间,其中,该热处理腔室中最高氧气浓度低于该非正常警示值;(3)驱动支撑探针多次弹出和缩进该容置凹槽,以将该容置凹槽中残留的氧气排出;(4)通过设定单元将该标准值设定为正常警示值,以使该氧气超标警示器对热处理腔室的漏气发出警示。

2.如权利要求1所述的可避免快速热处理被氧气污染的方法,其特征在于,该热处理腔室顶部设置有加热单元,该加热单元具有一最大功率。

3.如权利要求2所述的可避免快速热处理被氧气污染的方法,其特征在于,在步骤1中,该预设参数为:加热单元的功率为最大功率的9%,氮气流量为5升每分钟。

4.如权利要求1所述的可避免快速热处理被氧气污染的方法,其特征在于,在步骤2中,该预设时间为10秒。

5.如权利要求1所述的可避免快速热处理被氧气污染的方法,其特征在于,在步骤3中,该支持探针弹出和缩进容置凹槽的时间间隔为10秒。

6.如权利要求1所述的可避免快速热处理被氧气污染的方法,其特征在于,氧气浓度的正常警示值范围为五百万分之一至九百万分之一。

7.如权利要求1所述的可避免快速热处理被氧气污染的方法,其特征在于,该热处理腔室还在该承片架和该支撑探针间设置有用于保温的反射平板,该反射平板设置有供支撑探针穿过的通孔。

8.如权利要求1所述的可避免快速热处理被氧气污染的方法,其特征在于,该热处理腔室还具有进气口和出气口。

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