[发明专利]原子层沉积方法以及形成的半导体器件

权利要求书

1.一种原子层沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：

在原子层沉积室内放置半导体衬底；

第一前体气体流向原子层沉积室内的半导体衬底，在半导体衬底上形成离散的第一单层；

惰性吹扫气体流向在原子层沉积室内的半导体衬底，去除没有形成第一单层的第一前体气体；

第二前体气体流向原子层沉积室，与形成第一单层的第一前体气体反应，形成离散的化合物单层；

惰性吹扫气体流向原子层沉积室，去除没有和第一前体气体反应的第二前体气体以及第一前体气体与第二前体气体反应的副产物。

2.根据权利要求1所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述的第一前体气体是金属、半导体、配合有卤素或者有机配合物的金属、或者配合有卤素或者有机配合物的半导体中的一种或者几种的混合物。

3.根据权利要求2所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述金属为Ta，Ti，W，Mo，Nb，Cu，Ni，Pt，Ru，Me，Ni或者Al。

4.根据权利要求2所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述的半导体为硅。

5.根据权利要求2所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述的配合有卤素或者有机配合物的金属为Al(CH₃)₃、Hf[N(CH₃)(C₂H₅)]₄、Hf[N(C₂H₅)₂]₄、Hf[OC(CH₃)₃]₄或者HfCl₄，配合有卤素或者有机配合物的半导体为SiCl₂H₂、Si(OC₂H₅)₄、Si₂Cl₆、SiH₂[NH(C₄H₉)]₂、SiH(OC₂H₅)₃。

6.根据权利要求1所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述的第一前体气体为SiCl₂H₂时，第一前体气体流向原子层沉积室内的半导体衬底的流量为0.06至0.3slm，流入时间大于0小于10sec。

7.根据权利要求1所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述的第二前体气体为NH₃、N₂O、N₂、O₂、O₃或者H₂O。

8.一种原子层沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：

在原子层沉积室内放置半导体衬底；

第一前体气体流向原子层沉积室内的半导体衬底，在半导体衬底上形成离散的第一单层；

惰性吹扫气体流向在原子层沉积室内的半导体衬底，去除没有形成第一单层的第一前体气体；

第二前体气体流向在原子层沉积室，与形成第一单层的第一前体气体反应，形成离散的化合物单层；

惰性吹扫气体流向在原子层沉积室，去除没有和第一单层反应的第二前体气体以及第一前体气体与第二前体气体反应的副产物；

在半导体衬底上形成覆盖离散的化合物单层的介电层。

9.根据权利要求8所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述介电层的形成工艺为原子层沉积方法。