[发明专利]检测及建立应用于噪声的MOS管模型的方法有效
| 申请号： | 200710042459.8 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101329695A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黄俊诚;赵芳芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检测 建立 应用于 噪声 mos 模型 方法 | ||
1.一种建立应用于噪声的MOS管模型的方法，其特征在于，包括下列步骤，
测量不同晶粒上的MOS管的1/f噪声；
根据所得到的MOS管的1/f噪声数据，建立噪声分布图；
至少添加一个噪声模型文件中与1/f的噪声有关的参数的变化量到MOS管库文件中来对MOS管进行噪声仿真；
如果仿真结果未覆盖噪声分布图中的噪声数据，则继续改变该变化量的值进行仿真直到仿真结果能够覆盖噪声分布图中的噪声数据；
如果仿真结果覆盖噪声分布图中的数据，则将相应的变化量的值代入到MOS管库文件中作为应用于噪声的MOS管模型；
所述噪声分布图是在一个选定频率下，以NMOS管的1/f噪声为横坐标，以PMOS管的1/f噪声为纵坐标或者以PMOS管的1/f噪声为横坐标，以NMOS管的1/f噪声为纵坐标建立的；
所述仿真结果是以选定频率下的四个MOS管的极限情况FF、SS、FNSP和SNFP下的1/f噪声作为四个顶点而划出的变化范围。
2.如权利要求1所述的建立噪声模型的方法，其特征在于，所述的1/f噪声是从不同晶圆的不同晶粒上的PMOS管或NMOS管上测得的。
3.如权利要求1或2所述的建立噪声模型的方法，其特征在于，测量PMOS管或NMOS管1/f噪声的频率范围为4Hz～100kHz。
4.如权利要求3所述的建立噪声模型的方法，其特征在于，PMOS管或NMOS管的1/f噪声是在线性区或饱和区下测量的。
5.如权利要求4所述的建立噪声模型的方法，其特征在于，通过测量PMOS管或NMOS管的漏极电流波动得到所述PMOS管或NMOS管的漏极电流噪声功率谱密度来表示PMOS管或NMOS管的1/f噪声。
6.一种检测应用于噪声的MOS管模型的方法，其特征在于，包括下列步骤，
测量不同晶粒上的MOS管的1/f噪声；
根据所得到的MOS管的1/f噪声数据，建立噪声分布图；
应用包含噪声模型文件的MOS管库文件作为MOS管噪声仿真模型对于MOS管进行噪声仿真；
如果仿真结果未覆盖噪声分布图中的噪声数据，则该MOS管模型不能很精确地进行噪声仿真；
如果仿真结果覆盖噪声分布图中的噪声数据，则该MOS管模型能够很精确地进行噪声仿真；
所述噪声分布图是在一个选定频率下，以NMOS管的1/f噪声为横坐标，以PMOS管的1/f噪声为纵坐标或者以PMOS管的1/f噪声为横坐标，以NMOS管的1/f噪声为纵坐标建立的；
所述仿真结果是以选定频率下的四个MOS管的极限情况FF、SS、FNSP和SNFP下的1/f噪声作为四个顶点而划出的变化范围。
7.如权利要求6述的检测应用于噪声的MOS管模型的方法，其特征在于，所述的1/f噪声是从不同晶圆的不同晶粒上的PMOS管或NMOS管上测得的。
8.如权利要求5或6述的检测应用于噪声的MOS管模型的方法，其特征在于，测量PMOS管或NMOS管1/f噪声的频率范围为4Hz～100kHz。
9.如权利要求8的检测应用于噪声的MOS管模型的方法，其特征在于，PMOS管或NMOS管的1/f噪声是在线性区或饱和区下测量的。
10.如权利要求9的检测应用于噪声的MOS管模型的方法，其特征在于，通过测量PMOS管或NMOS管的漏极电流波动得到所述PMOS管或NMOS管的漏极电流噪声功率谱密度来表示PMOS管或NMOS管的1/f噪声。
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