[发明专利]用于制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜的衬底材料无效
| 申请号： | 200710042633.9 | 申请日： | 2007-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101333682A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 刘军芳 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 吴林松 |
| 地址： | 20009*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制备 低温 硼酸 钡单晶 薄膜 衬底 材料 | ||
【权利要求书】：
1.低温相偏硼酸钡β-BBO微晶玻璃作为制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜的衬底材料的应用。
2.如权利要求1所述的应用，其特征在于β-BBO微晶玻璃是表面呈择优取向的β-BBO微晶玻璃。
3.如权利要求1所述的应用，其特征在于β-BBO微晶玻璃是受控热处理或表面修饰处理制备后表面呈择优取向的β-BBO微晶玻璃。
4.如权利要求1所述的应用，其特征在于β-BBO微晶玻璃是受控热处理或表面修饰处理制备的经清洗后的β-BBO微晶玻璃。
5.如权利要求1-4中任一所述的应用，其特征在于制备β-BBO单晶薄膜的技术为脉冲激光沉积法、磁控溅射法、金属有机化学气相沉积法。
6.如权利要求5所述的应用，其特征在于脉冲激光沉积法、磁控溅射法所用的靶材为：α-BBO陶瓷靶材或或α-BBO单晶靶材β-BBO单晶靶材或β-BBO陶瓷靶材。
7.如权利要求6所述的应用，其特征在于脉冲激光沉积法所用的激光源为ArF准分子激光器或KrF准分子激光器。
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