[发明专利]铝掺杂相变存储薄膜材料Alx(Ge2Sb2Te5)100－x及其制备方法无效
| 申请号： | 200710042918.2 | 申请日： | 2007-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101109056A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 李晶;魏慎金 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C22C29/00 | 分类号： | C22C29/00;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/54;G11B7/243;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 相变 存储 薄膜 材料 al sub ge sb te 100 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铝掺杂相变存储薄膜材料，其特征在于该材料的化学结构式为：Alx(Ge2Sb2Te5)100-x，其中0＜x≤5，并利用磁控溅射系统，分别以金属铝和Ge2Sb2Te5为不同的溅射靶材，采用双靶共溅射法制备获得。
2.一种如权利要求1所述的铝掺杂相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于具体步骤如下：使用磁控溅射镀膜系统，将金属铝靶材与Ge2Sb2Te5靶材分别安装在一磁控直流溅射靶和一磁控射频溅射靶中，其中靶材的纯度均优于99.99％，衬底采用Si(100)基片，背景真空气压均为4.0×10-6mbar--6.0×10-6mbar，工作气体为99.997％以上的高纯氩，工作气压为6.0×10-3mbar--8.0×10-3mbar，室温下镀膜；溅射过程中，金属铝靶的溅射功率为15±1w，Ge2Sb2Te5靶的溅射功率为40-100w，溅射时间为300秒-500秒；并通过退火来实现薄膜在各温区的相变。
3.根据权利要求2所述的铝掺杂相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于固定金属铝靶的溅射功率为15w，Ge2Sb2Te5靶的溅射功率为50-100w。
4.根据权利要求2所述的铝掺杂相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于退火温度为范围为室温-400℃，升温速率为40℃-50℃，控温精度±0.1℃。
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