[发明专利]一种多级有序排列的ZSM-5纳米棒束及其制备方法无效
申请号: | 200710042920.X | 申请日: | 2007-06-28 |
公开(公告)号: | CN101117730A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 陈雪莹;何春霞;乔明华;范康年;贺鹤勇 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C30B29/34 | 分类号: | C30B29/34;C30B29/60;B82B3/00 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多级 有序 排列 zsm 纳米 及其 制备 方法 | ||
1.一种多级有序排列的ZSM-5纳米棒束,其特征在于由下述方法制备获得:以水玻璃作为硅源,以氢氧化钠溶液抽提镍铝合金中的金属铝,以所得的多孔金属Raney Ni作为结构诱导剂,以Raney Ni中残留的铝作为铝源,以乙胺作为微孔模板剂,得到沸石合成液;进行晶化处理,晶化温度为180-200℃,晶化时间为12-48小时;最后,除去Raney Ni,室温下干燥再焙烧除去模板剂乙胺,得到所需ZSM-5纳米棒束;其中,各原料成份的摩尔比是:H2O/SiO2=10-25,C2H5NH2/SiO2=0.8-1.2,OH-/SiO2=0.005-0.02,Raney Ni/SiO2=0.10-0.65。
所述ZSM-5纳米棒束的外貌为规整的束状结构,纳米棒束长度为2-10μm,宽度为0.5-2μm;材料的硅铝摩尔比为30-200;纳米棒束由扁平条状、形状规整、单根尺寸为(300-500)nm×(50-100)nm×(2-10)μm的ZSM-5纳米棒沿其c轴([001]方向)有序排列堆积而成。
2.根据权利要求1所述的多级有序排列的ZSM-5纳米棒束的制备方法,其特征在于以水玻璃作为硅源,以氢氧化钠溶液抽提镍铝合金中的金属铝,以所得的多孔金属Raney Ni作为结构诱导剂,以Raney Ni中残留的铝作为铝源,以乙胺作为微孔模板剂,得到沸石合成液;进行晶化处理,晶化温度为180-200℃,晶化时间为12-48小时;最后,除去RaneyNi,室温下干燥再焙烧除去模板剂乙胺,得到所需ZSM-5纳米棒束;其中,各原料成份的摩尔比是:H2O/SiO2=10-25,C2H5NH2/SiO2=0.8-1.2,OH-/SiO2=0.005-0.02,RaneyNi/SiO2=0.10-0.65。
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