[发明专利]在浮栅上形成微细图案的方法有效
| 申请号： | 200710043588.9 | 申请日： | 2007-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101345215A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 崔彰日;邱何 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/768;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浮栅上 形成 微细 图案 方法 | ||
1.一种在浮栅上形成微细图案的方法，包括如下步骤：
在已经形成浮栅的硅衬底上依次形成多晶硅层和光刻胶层；
对光刻胶层进行曝光、显影，得到具有预定线宽和间隔的光刻胶图案；
对所得到的光刻胶图案进行热回流，通过控制回流温度为80℃到光刻胶的玻璃化温度之间和时间80-200s得到要求的线宽和间隔；
再将具有要求的线宽和间隔的光刻胶图案转移到多晶硅层；
进行后续制程。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的光刻胶为热回流KrF光刻胶。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的光刻胶层厚度为5～
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的光刻胶层厚度为
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的曝光采用190～400nm的光。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的曝光采用248nm的KrF光源光。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的曝光机是KrF扫描机。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的回流温度为80℃到光刻胶的玻璃化温度之间的温度。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的回流时间为80～200s。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的回流是在加热板上进行。
11.根据权利要求1～10中的任一项所述的方法，其特征在于，所述的预定线宽为0.14μm，线间隔为0.16μm。
12.根据权利要求1～10中的任一项所述的方法，其特征在于，所述的要求的线间隔为80nm或以下的微细图案。
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述的要求的线间隔为80nm或以下的微细图案。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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