[发明专利]CMOS图像传感器的光电信号处理电路及方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的光电信号处理电路，其特征在于，包括，

像素单元，用于在接收的行复位信号为高电平时，对光敏二极管复位，并在接收的行使能信号首次为高电平时，输出光敏二极管复位电压作为曝光前光敏二极管电压信号以及在接收的行使能信号再次为高电平时，输出曝光后光敏二极管电压信号；

电压采样电路，用于在接收的复位采样控制信号为高电平时，接收曝光前光敏二极管电压信号并输出曝光前电压采样信号以及在接收的曝光采样控制信号为高电平时，接收曝光后光敏二极管电压信号并输出曝光后电压采样信号；

电压比较电路，将接收的曝光前电压采样信号与曝光后电压采样信号进行比较，并将比较结果作为图像信号输出。

2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的光电信号处理电路，其特征在于，所述电压比较电路包括用于存储所接收的曝光前电压采样信号的存储器以及用于调用存储器存储的曝光前电压采样信号并与所接收的曝光后电压采样信号进行比较，并将比较结果作为图像信号输出的比较器。

3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的光电信号处理电路，其特征在于，所述行使能信号在所述行复位信号由高电平达到低电平时，首次由低电平变高电平。

4.如权利要求3所述的CMOS图像传感器的光电信号处理电路，其特征在于，所述复位采样控制信号在所述行使能信号首次由低电平达到高电平时，由低电平变高电平。

5.如权利要求4所述的CMOS图像传感器的光电信号处理电路，其特征在于，所述行使能信号在所述复位采样控制信号由高电平达到低电平时，首次由高电平变低电平。

6.如权利要求5所述的CMOS图像传感器的光电信号处理电路，其特征在于，所述曝光采样控制信号在所述行使能信号再次为高电平时，由低电平变高电平。

7.如权利要求6所述的CMOS图像传感器的光电信号处理电路，其特征在于，所述行使能信号再次为高电平的时间与行使能信号首次为高电平的时间间隔等于光敏二极管的曝光时间。

8.一种CMOS图像传感器的光电信号处理方法，其特征在于，包括下列步骤，

在光敏二极管曝光前，在行复位信号为高电平时对光敏二极管复位；

在光敏二极管曝光前，在行使能信号首次为高电平，且复位采样控制信号为高电平时采样光敏二极管复位电压作为曝光前光敏二极管电压信号；

在光敏二极管曝光后，在行使能信号再次为高电平，且在曝光采样控制信号为高电平时采样曝光后光敏二极管电压信号；

比较采样的曝光后光敏二极管电压信号与曝光前光敏二极管电压信号，并将比较结果作为图像信号输出。

9.如权利要求8所述的CMOS图像传感器的光电信号处理方法，其特征在于，所述采样光敏二极管复位电压作为曝光前光敏二极管电压信号后，将曝光前光敏二极管电压信号暂存。

10.如权利要求8所述的CMOS图像传感器的光电信号处理方法，其特征在于，所述行使能信号在所述行复位信号由高电平达到低电平时，首次由低电平变高电平。

11.如权利要求10所述的CMOS图像传感器的光电信号处理方法，其特征在于，所述复位采样控制信号在所述行使能信号首次由低电平达到高电平时，由低电平变高电平。

12.如权利要求11所述的CMOS图像传感器的光电信号处理方法，其特征在于，所述行使能信号在所述复位采样控制信号由高电平达到低电平时，首次由高电平变低电平。

13.如权利要求12所述的CMOS图像传感器的光电信号处理方法，其特征在于，所述曝光采样控制信号在所述行使能信号再次达到高电平时，由低电平变高电平。

14.如权利要求13所述的CMOS图像传感器的光电信号处理方法，其特征在于，所述行使能信号再次为高电平的时间与行使能信号首次为高电平的时间间隔等于光敏二极管的曝光时间。