[发明专利]一种染料敏化纳米晶太阳能电池及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710043706.6 申请日: 2007-07-12
公开(公告)号: CN101101969A 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 陈国荣;徐华华;孙大林 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01G9/20;H01M14/00
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 染料 纳米 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种染料敏化纳米晶太阳能电池,其特征在于以现有的染料敏化纳米晶太阳能电池结构为基础,其染料敏化层采用功能分子材料M-TCNQ,其中M为金属Cu、Ag、K、Na、Mn、Mg、Ni或Li;TCNQ为7,7,8,8-四氰基对醌二甲烷。

2、根据权利要求1所述的染料敏化纳米晶太阳能电池,其特征在于作为染料敏化层的M-TCNQ,为一种M-TCNQ,或者为一种以上的M-TCNQ的组合。

3、一种如权利要求1所述的染料敏化纳米晶太阳能电池的制备方法,其特征在于为下述之一种:

①固态法:在纳米TiO2上面用真空镀膜法镀一层Cu、Ag、K、Na、Mn、Mg、Ni或Li中的一种或几种,或它们的碘化物,总厚度为10~1000纳米,然后用真空镀膜法镀一层TCNQ,厚度为10~500纳米,再在80-160℃温度下进行10-60分钟热处理,即形成所需要的M-TCNQ染料敏化层;

②溶液法:在纳米TiO2上面用真空镀膜法镀一层Cu、Ag、K、Na、Mn、Mg、Ni或Li中的一种或几种,或它们的碘化物,总厚度为10~1000纳米,然后与TCNQ的已腈饱和溶液接触,温度为10-60摄氏度,使之发生化学反应,生成所需要的M-TCNQ染料敏化层;

其余制备步骤与工艺与传统的染料敏化纳米晶太阳能电池相同。

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