[发明专利]减小激光直写光刻点或线宽的薄膜结构及其制备方法

权利要求书

1、一种减小激光直写光刻点或线宽的薄膜结构，特征在于该薄膜结构包括无机相变薄膜层(1)和缓冲层(2)，所述的无机相变薄膜层(1)由AgInSbTe或GeSbTe或SbTe构成，所述的缓冲层(2)由热导率高的金属或半导体材料构成。

2、根据权利要求1所述的减小激光直写光刻点或线宽的薄膜结构，其特征在于所述的无机相变薄膜层(1)的厚度为10～500nm，所述的缓冲层(2)的厚度为10～500nm。

3、权利要求1所述的减小激光直写光刻点或线宽的薄膜结构的制备方法，其特征在于包括下列步骤：

①将玻璃衬底(3)放入无水酒精中，用超声波发生器清洗两至三次，每次10分钟；

②将清洗好的玻璃衬底晾干后放进高真空磁控溅射设备的溅射腔内，抽真空，当溅射腔内的本底真空度降到6.0*10^-4Pa时，通氩气，氩气压维持在0.6-1.0Pa；

③采用直流磁控溅射法在所述的玻璃衬底(3)上制备所述的缓冲层(2)；

④采用直流磁控溅射法在所述的缓冲层(2)制备无机相变薄膜层(1)。