[发明专利]铝合金中杂质元素硅的去除方法无效
申请号: | 200710043984.1 | 申请日: | 2007-07-19 |
公开(公告)号: | CN101086042A | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 疏达;祝国梁;王俊;孙宝德 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C22C1/06 | 分类号: | C22C1/06;C22C21/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铝合金 杂质 元素 去除 方法 | ||
1.一种铝合金中杂质元素硅的去除方法,其特征在于,通过在铝合金熔体中加入含钛物质,反应生成Ti(Al1-xSix)3或钛硅化合物捕获固溶铝合金熔体中的硅元素,然后通过净化工艺去除富硅化合物,实现熔体中硅元素的去除。
2.如权利要求1所述的铝合金中杂质元素硅的去除方法,其特征是,包括如下步骤:
(1)将含钛物质加入至铝合金熔体中;
(2)在铸造前通过过滤和/或电磁净化工艺去除铝液中的含硅化合物,经过精炼的铝液随后浇铸成锭或直接铸轧成板材,实现铝液中硅元素的净化去除。
3.如权利要求1或2所述的铝合金中杂质元素硅的去除方法,其特征是,步骤(1)中,所述的含钛物质,是指:含钛化合物或铝钛中间合金或纯钛颗粒。
4.如权利要求3所述的铝合金中杂质元素硅的去除方法,其特征是,所述的含钛化合物为二氧化钛、氟钛酸钾或它们的混合物。
5.如权利要求4所述的铝合金中杂质元素硅的去除方法,其特征是,所述的含钛化合物,其加入方式:单独加入铝合金熔体中,或与普通精炼剂混合均匀后一起加入。
6.如权利要求1或2所述的铝合金中杂质元素硅的去除方法,其特征是,所述的含钛物质,其加入量:应使得铝合金熔体中钛的质量百分数为0.2%-3%。
7.如权利要求3所述的铝合金中杂质元素硅的去除方法,其特征是,所述的含钛物质是含钛化合物时,则以下操作步骤为:铝合金在熔炼炉或保温炉内熔化并在700℃-800℃保温,通过喷粉机将烘干脱水后的含钛化合物或含钛化合物与普通精炼剂的混合物随气体N2或Ar喷射入熔体内,并使得其在整个熔池内充分混合,铝液在精炼后保温30分钟-90分钟。
8.如权利要求3所述的铝合金中杂质元素硅的去除方法,其特征是,所述的含钛物质是铝钛中间合金或纯钛颗粒时,则以下操作步骤为:铝合金在熔炼炉或保温炉内熔化并在700℃-800℃保温,加入铝钛中间合金或纯钛颗粒,待其熔化后进行搅拌,使得钛元素在整个熔池内分布均匀,铝液经精炼后保温30分钟-90分钟。
9.如权利要求2所述的铝合金中杂质元素硅的去除方法,其特征是,步骤(2)中,所述的过滤净化工艺,具体为:将含有富硅化合物的铝液通过规格为15ppi-40ppi的泡沫陶瓷过滤器。
10.如权利要求2所述的铝合金中杂质元素硅的去除方法,其特征是,步骤(2)中,所述的电磁净化工艺,具体为:将含有富硅化合物的铝液通过孔径为3mm-20mm的蜂窝状陶瓷管分离器,并通过螺线管线圈施加频率10kHz~30kHz、磁感应强度0.02T-0.10T的交变磁场。
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