[发明专利]一种改善晶片研磨不足厚度偏厚的方法及装置有效
| 申请号： | 200710044058.6 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101347923A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 张连伯;冯庆安;张淑艳;汪志宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B29/00;B24B7/22;B24B55/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 晶片 研磨 不足 厚度 方法 装置 | ||
1.一种改善晶片研磨不足厚度偏厚的装置，其结构至少包括：第一研磨盘，第二研磨盘，第三研磨盘，第一控制阀(5)，第二控制阀(6)，第三控制阀(7)，研磨系统内高压水清洁系统，研磨系统内高压水清洁系统控制阀(4)，其特征在于：在控制阀组和所述研磨系统内高压水清洁系统控制阀之间增加两个控制阀，所述控制阀组包括所述第一控制阀(5)，所述第二控制阀(6)，所述第三控制阀(7)；以及
所述两个控制阀为两个气控阀，每个气控阀有3个端口，分别为端口A、端口B、端口C，只有当所述端口A和端口B同时导通的时候，气控阀才导通，即端口C导通，第一气控阀(9)的A端、B端分别与所述第一控制阀(5)、所述第二控制阀(6)相连，第二气控阀(10)的A端、B端、C端分别与所述第一气控阀(9)的C端、所述第三控制阀(7)、所述研磨系统内高压水清洁系统控制阀(4)相连；或所述两个控制阀为两个与阀，每个与阀有3个端口，分别为端口D、端口E、端口F，只有当所述端口D和端口E同时导通的时候，与阀才导通，即端口F导通，第一与阀(11)的D端、E端分别与所述第一控制阀(5)、所述第二控制阀(6)相连，第二与阀(12)的D端、E端、F端分别与所述第一与阀(11)的F端、所述第三控制阀(7)、所述研磨系统内高压水清洁系统控制阀(4)相连。
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