[发明专利]一种在HSn70－1黄铜表面形成自组装单分子阻蚀膜的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种对金属表面进行防腐蚀处理的方法，更具体地说是涉及一种对HSn70-1黄铜进行表面处理形成单分子阻蚀膜的方法。

背景技术

金属腐蚀是金属在环境中腐蚀介质发生作用下成为氧化状态的热力学自发过程。据报道，每年由于金属腐蚀而造成的经济损失占国民生产总值的1.5～2.4％。为了应对金属腐蚀加剧，人们对缓蚀剂使用越来越多，但是目前应用的缓蚀剂大多数并不是绿色环保的缓蚀剂，或多或少会对环境产生一定的危害。为了减缓金属腐蚀或防止金属腐蚀，采用涂层保护的方法是防腐蚀方法中应用最广泛也是最有效的措施。将特定的缓蚀剂，如缓蚀剂分子自组装在金属表面上形成致密、有序的单分子膜可以阻挡环境介质对基底金属的侵蚀，保护基底金属免遭腐蚀。3-氨基-1，2，4-三氮唑(ATA)是一种用途广泛的有机合成中间体，也是用于人体蛋白质中色氨酸含量的特种生化试剂，由于其光敏性以及生物活性而被广泛用于抗菌素类药物，三唑类偶氨染料，感光材料，内吸性杀菌剂以及植物生长调节剂的合成与制备，但由于它具有很强的螯合性，可形成鳌合物附着在金属容器表面阻止金属腐蚀，无磷无毒，可尝试用做金属防腐蚀用缓蚀剂。3-氨基-1，2，4-三氮唑(ATA)对HSn70-1黄铜的缓蚀作用以及用来形成自组装单分子阻蚀膜等方面的研究报道国内外尚不多见。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种以ATA为主要活性成分在HSn70-1黄铜表面形成自组装单分子阻蚀膜的方法，本发明具有ATA用量低，缓蚀阻垢能力强的突出优点，对环境无污染。

一种在HSn70-1黄铜表面形成自组装单分子阻蚀膜的方法，包括下列步骤：

a.将HSn70-1黄铜先经0#～6#逐级打磨抛光、无水乙醇除油、去离子水洗净后，备用；

b.将ATA配制成浓度为1×10^-3mol/L的缓蚀剂溶液；

c.将上述处理过的HSn70-1黄铜浸渍于上述配制成的ATA缓蚀剂溶液中，浸渍温度为20～30℃，浸渍时间为0.5～2小时，最终在HSn70-1黄铜表面形成ATA自组装单分子阻蚀膜。

步骤c中HSn70-1黄铜在ATA缓蚀剂溶液中的浸渍时间为1小时。

发明的有益效果，本发明采用的ATA的缓蚀剂是一种绿色、环保缓蚀剂，对环境无危害，本发明将上述缓蚀剂通过形成自组装单分子阻蚀膜(SAMs)的方式在HSn70-1黄铜表面成膜，减缓黄铜腐蚀发生，具有很好的缓蚀效果。电化学数据表明，HSn70-1黄铜在ATA自组装溶液中成膜1h的腐蚀电流大大降低，仅为1.096μA·cm^-2，缓蚀效率约96.69％，本发明对3％NaCl溶液中的HSn70-1黄铜具有明显的缓蚀效果。

附图说明

图1是HSn70-1黄铜电极在10^-3mol/L的ATA自组装液中组装的时间电位曲线图；

图2是组装不同时间ATA SAMs的HSn70-1黄铜电极分别浸入3％NaCl溶液中的交流阻抗图(Nyquist图)；

图3是组装不同时间ATA SAMs的HSn70-1黄铜电极分别浸入3％NaCl溶液中极化曲线图。

具体实施方式

下面通过实施例和附图对本发明进一步详细描述，一种在HSn70-1黄铜表面形成自组装单分子阻蚀膜的方法，包括下列步骤：a.将HSn70-1黄铜先经0#～6#逐级打磨抛光、无水乙醇除油、去离子水洗净后，备用；b.将ATA配制成浓度为1×10^-3mol/L的缓蚀剂溶液；c.将上述处理过的HSn70-1黄铜浸渍于上述配制成的ATA缓蚀剂溶液中，浸渍温度为20～30℃，浸渍时间为0.5～2小时，最终在HSn70-1黄铜表面形成ATA自组装单分子阻蚀膜。步骤c中HSn70-1黄铜在ATA缓蚀剂溶液中的浸渍时间为1小时。

实施例

一、溶液配制

ATA：  C₂H₄N₄，白色或淡黄色粉末，易溶于水，无毒。

实施体系：3％NaCl溶液

实验中所用器皿都要用去离子水洗涤。所有溶液的配制均用去离子水。

二、HSn70-1黄铜电极