[发明专利]具有改善出光率的LED芯片及其制作工艺无效
| 申请号： | 200710044095.7 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101350384A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;邵春林 | 申请（专利权）人： | 上海宇体光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 200032上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 改善 出光率 led 芯片 及其 制作 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造LED芯片的方法，包括以下步骤：
形成衬底；
形成第一导电类型的第一半导体材料层；
形成活性发光层；
形成第二导电类型的第二半导体材料层；
在LED芯片的非几何边缘位置，通过选择性刻蚀除去部分第二半导体材料层和活性发光层，从而暴露出部分第一半导体材料层；
在暴露的第一半导体材料层上形成与之电连接的第一电极；
在第二半导体材料层上形成与之电连接的第二电极，其中所述第二电极由透明电极和位于透明电极局部区域的第一加厚电极组成，所述透明电极环绕所述第一电极。
2.如权利要求1所述的制造LED芯片的方法，其特征在于，所述第二电极还包括条状加厚电极，所述条状加厚电极被设置于LED芯片的几何边缘处并与所述第一加厚电极电连接。
3.如权利要求2所述的制造LED芯片的方法，其特征在于，所述LED芯片的非几何边缘位置是指包括LED芯片的几何中心位置在内的由条状加厚电极组成的框范围内的所有区域。
4.如权利要求1所述的制造LED芯片的方法，其特征在于，所述第一半导体材料层是N型半导体材料层，所述第二半导体材料层是P型半导体材料层。
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