[发明专利]用于差/共模电磁干扰抑制磁性材料

说明书

技术领域

本发明用于差/共模电磁干扰抑制磁性材料涉及一种组合物，尤其涉及一种磁性材料，可用于差/共模电磁干扰抑制。

背景技术

目前用于共模噪声抑制材料一般为5000～10000的高磁导率磁性材料，虽然导磁率一般都能达到要求，但缺点是使用频率范围窄、温度范围窄、饱和磁感应强度低、损耗高；如果用于差/共模集成一体的EMI抑制器的话，其差模抑制效果会很差。

然而差模抑制器和共模抑制器对磁芯的性能要求是矛盾的，差模抑制器一直工作在直流偏置状态下，要求磁芯有的的损耗和高的饱和磁感应强度，即是在直流偏置状态下也有较高的电感量；而共模抑制器主要靠磁芯饱和来衰减MHz以下的噪声信号，所以要求磁芯的磁导率高，截止频率高，但是由于高μ磁芯的磁导率高，所以饱和磁感应强度就比较低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种能兼顾差模抑制和共模抑制对磁芯要求的新型磁性材料。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种用于差/共模电磁干扰抑制磁性材料，以Fe₂O₃、Mn₃O₄、ZnO三种材料为主要原料，并适量掺入杂质，其中，主要原料的三种金属离子的摩尔比为：Fe³⁺：Mn²⁺:Zn²⁺＝5.3∶1.20～1.21∶1，杂质掺杂量占总质量百分比为0.05～O.2％。

在上述方案的基础上，所述杂质为Bi₂O₃、CaO、SO₃中的一种或一种以上的组合物。

本发明的有益效果是：

1、初始磁导率达到6500±25％，同类产品为6000±30％；

2、常温饱和磁感应强度为480mT，而同类产品为410mT；

3、截止频率500KHz，同类产品为400KHz；

4、温度范围—20℃～160℃，同类产品为—20℃～140℃；

5、比损耗因子tan δ/μi 10×10^-6，同类产品为15×10^-6；

6、本发明的磁性材料能同时符合差模抑制器和共模抑制器对磁性性能的不同要求。

附图说明

图1为本发明饱和磁感应强度/剩余磁感应强度一温度曲线图。

图2为本发明10kHz下的磁导率一温度曲线图。

图3为本发明23℃下的磁导率一频率曲线图。

图4为本发明23℃下，绕线圈数n＝10的阻抗一频率曲线图。

具体实施方式

一种用于差/共模电磁干扰抑制磁性材料，以Fe₂O₃、Mn₃O₄、ZnO三种材料为主要原料，并适量掺入杂质，其中，主要原料的三种金属离子的摩尔比为：Fe³⁺:Mn²⁺:Zn²⁺＝5.3∶1.20～1.21∶1，杂质为Bi₂O₃、CaO、SO₃的组合物，杂质掺杂量占总质量百分比为0.1％。

本实施例中，主要原料配方按摩尔百分比为：

Fe₂O₃＝73mol％；MnO＝15mol％；ZnO＝12mol％。

本发明用于差/共模电磁干扰抑制磁性材料的性能请参阅图1为本发明饱和磁感应强度/剩余磁感应强度一温度曲线图，图2本发明10kHz下的磁导率一温度曲线图，图3本发明23℃下的磁导率一频率曲线图，图4本发明23℃下，绕线圈数n＝10的阻抗一频率曲线图。