[发明专利]一种对闸极氧化层进行修复的方法有效
| 申请号： | 200710044192.6 | 申请日： | 2007-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101355028A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 陈泰江;刘喻 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 进行 修复 方法 | ||
1.一种对闸极氧化层进行修复的方法，在刻蚀生成MOS器件的闸极之 后，通过快速热氧化反应对闸极氧化层进行修补，其特征在于，所述闸极氧 化层的生长步骤如下：
A）通入氢气和氧气，生长闸极氧化层；
B）通入一氧化氮，形成硅氧氮化合物的闸极氧化层，
在快速热氧化反应制程中，向反应室只通入氮气，所述MOS器件的电性 参数包括开启电压、饱和电流、漏电流、闸极氧化层的击穿电压、接触电阻、 方块电阻，所述饱和电流的参数合格标准是：
核心电压为1.8V的NMOS器件为510uA/um～690uA/um；
输入输出电压为3.3V的NMOS器件为510uA/um～690uA/um；
核心电压为1.8V的PMOS器件为-210uA/um～-290uA/um；
输入输出电压为3.3V的PMOS器件为-240uA/um～-330uA/um。
2.如权利要求1所述的对闸极氧化层进行修复的方法，其特征在于，所 述MOS器件包括核心电压为1.8V的NMOS器件、输入输出电压为3.3V的 NMOS器件、核心电压为1.8V的PMOS器件、输入输出电压为3.3V的PMOS 器件。
3.如权利要求1所述的对闸极氧化层进行修复的方法，其特征在于，在 可靠性试验中，所述闸极氧化层的击穿电压的参数合格标准是
核心电压为1.8V的MOS器件>4.1V；
输入输出电压为3.3V的MOS器件>7.8V。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
