[发明专利]近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜，其特征在于是一种掺杂氧化铟薄膜In₂O₃:M，M为Mo或W，由反应直流磁控溅射方法制备获得，其中，钼和钨以六价态离子存在于薄膜之中，薄膜厚度为80-150nm，可见光区域的平均透射率高于80％，近红外区域的平均透射率亦大于80％。

2.一种如权利要求1所述的近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征是采用反应直流磁控溅射镀膜技术，具体步骤如下：以掺杂钼或钨的铟金属镶嵌靶为靶材，以玻璃为基板，在基板温度为室温的条件下，用Ar离子束照射靶材，将靶材溅射，溅射电流为80-150 mA，溅射电压为300-500 V，反应室内的工作压强为2.5×10^-1Pa，O₂反应气体的分压为3.3-4.3×10^-2Pa，溅射时间为5-20分钟，即形成具有非晶结构的掺杂钼或钨的氧化铟透明导电氧化物薄膜In₂O₃:M，M为Mo或W。

3.根据权利要求2所述的非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征是O₂反应气体的分压为3.3×10^-2Pa-4.3×10^-2Pa。

4.根据权利要求2所述的非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征是反应直流磁控溅射镀膜时，溅射条件为：溅射电流100-150mA，溅射电压300-400V，溅射时间10-15分钟。