[发明专利]一种可擦写、可读出的无机薄膜电双稳器件及其制备方法无效
申请号: | 200710044248.8 | 申请日: | 2007-07-26 |
公开(公告)号: | CN101106172A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 徐伟;唐佳其;季欣 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;G11C11/56 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 擦写 读出 无机 薄膜 电双稳 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种可擦写、可读出的无机薄膜电双稳器件,其特征在于采用金属层(M1)-无机介质层-金属(M2)结构,其中,二端的金属层(M1和M2)作为电极,中间的无机介质层作为功能介质层;这里,金属层(M1)为Cu,金属层(M2)为铝,无机介质层为由硫氰酸钾和部分铜电极反应制备获得的功能材料层。
2.根据权利要求1所述的可擦写、可读出的无机薄膜电双稳器件,其特征在于所述无机介质层厚度为10-150nm。
3.根据权利要求1所述的可擦写、可读出的无机薄膜电双稳器件的制备方法,其特征在于具体步骤如下:在真空镀膜机中,以绝缘基板做基底,采用一掩膜,在基板上沿X轴方向沉积厚度为150~300纳米的线条状铜膜,再在铜膜的上表面上沉积厚度为5~50纳米的硫氰酸钾薄膜,然后再利用掩膜在硫氰酸钾薄膜上沿Y轴方向沉积厚度为80~150纳米的线条状铝膜;X轴方向线条状的铜膜与Y轴方向线条状的铝膜相交叉部分的面积就是一个器件的面积。
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