[发明专利]微机电系统器件与集成电路的集成方法及集成芯片

权利要求书

1.一种微机电系统器件与集成电路的集成方法，其特征在于包括步骤：

1)分别提供一具有微机电系统器件的第一芯片及一具有与所述微机电系统器件对应的集成电路的第二芯片，其中，所述第一芯片具有第一电气连接点，所述第二芯片上具有第二电气连接点，且当所述第一芯片覆盖于所述第二芯片上时所述第一电气连接点与所述第二电气连接点相互对应；

2)在所述第一电气连接点上生成第一附加导电点，同时在所述第一芯片上环绕所述微机电系统器件生成一第一封装环；

3)在所述第二电气连接点上生成第二附加导电点，同时在所述第二芯片上生成一第二封装环，且当所述第一芯片覆盖于所述第二芯片上时所述第二封装环与所述第一封装环相对应；

4)将所述第一芯片与所述第二芯片对接，并使所述第一附加导电点与所述第二附加导电点融合对接以完成所述微机电系统器件与所述集成电路的电气连接，同时，使所述第一封装环和所述第二封装环融合对接以将所述微机电系统器件密封于环内。

2.如权利要求1所述的微机电系统器件与集成电路的集成方法，其特征在于：当所述第一芯片位于第一圆片上，所述第二芯片位于第二圆片上时，还包括对对接后的所述第一圆片及第二圆片进行切割以得到单个集成芯片，并对所述单个集成芯片进行常规塑料封装的步骤。

3.如权利要求1所述的微机电系统器件与集成电路的集成方法，其特征在于：所述第一电气连接点及第一附加导电点处于所述第一封装环内。

4.如权利要求1所述的微机电系统器件与集成电路的集成方法，其特征在于：在步骤2)中，生成的所述第一封装环为有机物质环。

5.如权利要求4所述的微机电系统器件与集成电路的集成方法，其特征在于：所述有机物质环为采用旋涂法或者喷涂法所生成。

6.如权利要求1所述的微机电系统器件与集成电路的集成方法，其特征在于：所述第二封装环为有机物质环。

7.如权利要求6所述的微机电系统器件与集成电路的集成方法，其特征在于：所述有机物质环为采用旋涂法或者喷涂法所生成。

8.如权利要求1所述的微机电系统器件与集成电路的集成方法，其特征在于步骤2)进一步包括步骤：

(1)在所述第一芯片上环绕所述微机电系统器件生成一第一金属环；

(2)在所述第一金属环上生成第一球下冶金层以形成由所述第一金属环及所述第一球下冶金层组成的第一封装环。

9.如权利要求8所述的微机电系统器件与集成电路的集成方法，其特征在于：所述第一球下冶金层包括生成于所述第一金属环上的第一黏附层、生成于所述第一黏附层上的第一扩散阻挡层、生成于所述第一扩散阻挡层上的第一浸润层及生成于所述第一浸润层上的第一氧化阻挡层。

10.如权利要求9所述的微机电系统器件与集成电路的集成方法，其特征在于：所述第一黏附层的材料为铬、钛、及钛钨中的一种或多种。

11.如权利要求9所述的微机电系统器件与集成电路的集成方法，其特征在于：所述第一扩散阻挡层的材料为铅、铂、及铜中的一种或多种。

12.如权利要求9所述的微机电系统器件与集成电路的集成方法，其特征在于：所述第一浸润层的材料为铜、金、及镍中的一种或多种。

13.如权利要求9所述的微机电系统器件与集成电路的集成方法，其特征在于：所述第一氧化阻挡层的材料为金。

14.如权利要求9所述的微机电系统器件与集成电路的集成方法，其特征在于：采用蒸发、电镀、化学镀、及印刷中的一种方法分别形成所述第一黏附层、所述第一扩散阻挡层、所述第一浸润层及第一氧化阻挡层。

15.如权利要求8至14任一所述的微机电系统器件与集成电路的集成方法，其特征在于所述步骤3)进一步包括步骤：

(1)在所述第二芯片上生成一与所述第一金属环相对应的第二金属环；

(2)在所述第二金属环上生成第二球下冶金层；

(3)在所述第二球下冶金层生成第一焊料层以形成由所述第二金属环、所述第二球下冶金层及所述第一焊料层组成的第二封装环。