[发明专利]光刻图案的形成方法和双镶嵌结构的制造方法

权利要求书

1、一种光刻图案的形成方法，其特征在于，包括：

提供具有介质层的半导体基底，在所述介质层中具有第一开口；

在所述第一开口中和介质层上形成第一材料层，所述第一材料层至少填满所述第一开口；

在所述第一材料层上形成第二材料层；

在所述第二材料层上形成光刻胶层，并图形化该光刻胶层形成第二开口图案，至少一第二开口图案位于所述第一开口上方。

2、如权利要求1所述的光刻图案的形成方法，其特征在于，第一材料层为可旋涂材料，形成第一材料层的步骤如下：

向所述介质层表面喷出第一材料，以第一速率旋转所述半导体基底；

以大于所述第一速率的第二速率旋转所述半导体基底；

以小于所述第二速率的第三速率旋转所述半导体基底；

停止喷出第一材料；

以大于所述第三速率且小于第二速率的第四速率旋转所述半导体基底。

3、如权利要求1所述的光刻图案的形成方法，其特征在于，第一材料层为可旋涂材料，形成第一材料层的步骤包括：

向所述介质层表面喷出第一材料，旋转所述半导体基底，使所述第一材料至少填满所述第一开口；

回刻所述第一材料，使所述第一开口中的第一材料表面低于所述介质层表面；

再次喷出第一材料，并旋转所述半导体基底，使所述第一材料覆盖整个半导体基底表面。

4、如权利要求1所述的光刻图案的形成方法，其特征在于，第二材料层为可旋涂材料，形成第二材料层的步骤包括：

向所述第一材料层表面喷出第二材料，以第五速率旋转所述半导体基底；

以大于所述第五速率的第六速率旋转所述半导体基底；

以小于所述第六速率的第七速率旋转所述半导体基底；

停止喷出第二材料；

以大于所述第七速率且小于第六速率的第八速率旋转所述半导体基底。

5、如权利要求1至4任一权利要求所述的光刻图案的形成方法，其特征在于：所述第一材料层和第二材料层为有机抗反射材料。

6、如权利要求5所述的光刻图案的形成方法，其特征在于：所述有机抗反射材料为DUO248。

7、如权利要求1所述的光刻图案的形成方法，其特征在于：所述第二材料层为低温氧化层。

8、如权利要求7所述的光刻图案的形成方法，其特征在于：形成所述低温氧化层的方法为化学气相沉积。

9、如权利要求1所述的光刻图案的形成方法，其特征在于，该方法进一步包括：在旋涂光刻胶之前在所述第二材料层上形成抗反射层。

10、如权利要求1所述的光刻图案的形成方法，其特征在于，该方法进一步包括：

将所述第二开口图案转移到所述介质层中，在所述介质层中形成第二开口；

移除所述光刻胶层、第二材料层和第一材料层。

11、一种双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有介质层的半导体基底，在所述介质层中具有连接孔；

在所述连接孔中和介质层上形成第一材料层，所述第一材料层至少填满所述连接孔；

在所述第一材料层上形成第二材料层；

在所述第二材料层上形成光刻胶层，并图形化该光刻胶层形成沟槽图案，至少一沟槽图案位于所述连接孔上方；

将所述沟槽图案转移到所述介质层中，在所述介质层中形成沟槽；

移除所述光刻胶层、第二材料层和第一材料层。

12、如权利要求11所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，第一材料层为可旋涂材料，形成第一材料层的步骤如下：

向所述介质层表面喷出第一材料，以第一速率旋转所述半导体基底；

以大于所述第一速率的第二速率旋转所述半导体基底；

以小于所述第二速率的第三速率旋转所述半导体基底；

停止喷出第一材料；

以大于所述第三速率且小于第二速率的第四速率旋转所述半导体基底。