[发明专利]隔离环基层、隔离环基层掩膜版及隔离环基层形成方法有效
| 申请号： | 200710044352.7 | 申请日： | 2007-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101355057A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 邓永平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/76;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离 基层 掩膜版 形成 方法 | ||
1.一种隔离环基层，所述隔离环基层位于半导体基底上，所述隔离环基层包含隔离槽及填充所述隔离槽的隔离物，其特征在于：所述隔离环基层内包含至少两个隔离槽，所述隔离槽间隔分布于所述隔离环基层内。
2.根据权利要求1所述的隔离环基层，其特征在于：各所述隔离槽均匀分布于所述隔离环基层内。
3.根据权利要求1所述的隔离环基层，其特征在于：各所述隔离槽非均匀分布于所述隔离环基层内。
4.根据权利要求1或2或3所述的隔离环基层，其特征在于：各所述隔离槽的尺寸相同。
5.根据权利要求1或2或3所述的隔离环基层，其特征在于：各所述隔离槽的尺寸不同。
6.一种隔离环基层掩膜版，所述隔离环基层掩膜版包含至少一个隔离槽图形区，其特征在于：每一所述隔离槽图形区内包含至少两个隔离槽图形，各所述隔离槽图形间隔分布于所述隔离槽图形区内。
7.根据权利要求6所述的隔离环基层掩膜版，其特征在于：各所述隔离槽图形均匀分布于所述图形区内。
8.根据权利要求6所述的隔离环基层掩膜版，其特征在于：各所述隔离槽图形非均匀分布于所述图形区内。
9.根据权利要求6或7或8所述的隔离环基层掩膜版，其特征在于：各所述隔离槽图形二维尺寸相同。
10.根据权利要求6或7或8所述的隔离环基层掩膜版，其特征在于：各所述隔离槽图形二维尺寸不同。
11.一种隔离环基层形成方法，包括：
提供半导体基底；
在所述半导体基底上沉积介质层；
利用隔离环基层掩膜版，刻蚀所述介质层，以在所述半导体基底上形成包含至少两个隔离槽的隔离环区，所述隔离环基层内包含所述至少两个隔离槽，所述隔离槽间隔分布于所述隔离环基层内；
形成填充所述隔离槽的隔离物层。
12.根据权利要求11所述的隔离环基层形成方法，其特征在于：形成所述隔离环基层的步骤中应用的隔离环基层掩膜版数目等于1。
13.根据权利要求11或12所述的隔离环基层形成方法，其特征在于：形成所述隔离环基层的步骤中应用的隔离环基层掩膜版包含至少一个隔离槽图形区且每一所述隔离槽图形区内包含至少两个隔离槽图形。
14.根据权利要求11所述的隔离环基层形成方法，其特征在于：形成所述隔离环基层的步骤中应用的隔离环基层掩膜版数目大于1。
15.根据权利要求14所述的隔离环基层形成方法，其特征在于：每一所述掩膜版具有至少一个图形区，各所述图形区内包含至少一个隔离槽图形。
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