[发明专利]介质层的形成方法及双镶嵌结构的制造方法

权利要求书

1、一种介质层的形成方法，其特征在于，包括：

提供具有金属层的半导体基底；

用无氮的还原性气体的等离子体对所述金属层进行表面预处理，以防止在后续形成的介质层表面形成突起的缺陷；

在所述半导体基底上沉积介质层。

2、如权利要求1所述的介质层的形成方法，其特征在于，所述表面预处理的步骤如下：

将所述半导体基底置于工艺腔中；

向所述工艺腔中通入无氮的还原性气体，该还原性气体在激励源的激励下电离，产生等离子体；

在等离子体和半导体基底之间施加偏压，使等离子体向半导体基底表面移动，轰击所述金属层表面。

3、如权利要求2所述的介质层的形成方法，其特征在于：所述激励源为微波源或射频源。

4、如权利要求2所述的介质层的形成方法，其特征在于：所述激励源为射频源，该射频源的功率为500至700w。

5、如权利要求1至4任一权利要求所述的介质层的形成方法，其特征在于：所述还原性气体为氢气或一氧化碳。

6、如权利要求1至4任一权利要求所述的介质层的形成方法，其特征在于：所述还原性气体为氢气和氦气的混合气体。

7、如权利要求6所述的介质层的形成方法，其特征在于：所述混合气体的流量为50至200sccm。

8、如权利要求1所述的介质层的形成方法，其特征在于：对所述金属层进行表面预处理的工艺和在所述半导体基底上沉积介质层的工艺可原位进行或在不同的工艺腔中分别进行。

9、如权利要求1所述的介质层的形成方法，其特征在于：所述介质层为氮化硅或碳化硅或氮碳硅化合物。

10、一种双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有金属层的半导体基底；

用无氮的还原性气体的等离子体对所述金属层进行表面预处理，以防止在后续形成的介质层表面形成突起的缺陷；

在所述半导体基底上沉积介质层；

在所述介质层上形成中间介电层；

在所述中间介电层中形成开口，其中，至少一开口底部露出所述金属导线层表面；

在所述开口中填充金属材料。

11、如权利要求10所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，所述表面预处理的步骤如下：

将所述半导体基底置于工艺腔中；

向所述工艺腔中通入无氮的还原性气体，该还原性气体在激励源的激励下电离，产生等离子体；

在等离子体和半导体基底之间施加偏压，使等离子体向半导体基底表面移动，轰击所述金属层表面。

12、如权利要求11所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于：所述激励源为微波源或射频源。

13、如权利要求11所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于：所述激励源为射频源，该射频源的功率为500至700w。

14、如权利要求10至13任一权利要求所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于：所述还原性气体为氢气或一氧化碳。

15、如权利要求10至13任一权利要求所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于：所述还原性气体为氢气和氦气的混合气体。

16、如权利要求10所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于：

对所述金属层进行表面预处理的工艺和在所述半导体基底上沉积介质层的工艺可原位进行或在不同的工艺腔中分别进行。

17、如权利要求10所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于：所述介质层为氮化硅或碳化硅或氮碳硅化合物。

18、如权利要求10所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于：所述中间介电层为低介电常数材料。