[发明专利]检测半导体器件的方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种检测半导体器件的方法及装置，尤其涉及一种检测CMOS图像传感器的方法及装置。

背景技术

目前电荷耦合器件(charge coupled device，CCD)是主要的实用化固态图像传感器件，具有读取噪声低、动态范围大、响应灵敏度高等优点，但是CCD同时具有难以与主流的互补金属氧化物半导体(Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)技术相兼容的缺点，即以CCD为基础的图像传感器难以实现单芯片一体化。而CMOS图像传感器(CMOS Image sensor，CIS)由于采用了相同的CMOS技术，可以将像素阵列与外围电路集成在同一芯片上，与CCD相比，CIS具有体积小、重量轻、功耗低、编程方便、易于控制以及平均成本低的优点。

通常，CMOS图像传感器包括像素单元电路阵列，其中像素单元电路通常包括三个晶体管和一个用于吸收入射光并转换为光电流的光电二极管。如图1所示，包括光电二极管PD、第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3，光电二极管正极接地，负极与第一晶体管T1的源极相连；第一晶体管T1的栅极与复位控制电路相连(Reset)、漏极与第二晶体管T2的漏相连且与外围电源电路相连以提供Vdd电压；第二晶体管T2的栅极与光电二极管的负极相连、源极与第三晶体管T3的源极相连；第三晶体管T3的栅极与行选电路(Rowselect)相连、漏极与输出电路(Output)相连。第一晶体管T1(复位晶体管)用于将光电二极管结点电压重置；第二晶体管T2(源跟随晶体管)用于接收和放大光电二极管结点的电势变化；第三晶体管T3(输出晶体管)用于选择读出行。

在例如申请号为200510132948.3的中国专利申请中还能发现更多关于CMOS图像传感器的信息，所述CMOS图像传感器包括能够执行光感测和有源放大的光电晶体管。所述光电晶体管被安装以在维持现有像素操作的同时改进低照明特性。所述CMOS图像传感器还包括：重置晶体管，其连接到所述光电晶体管并且适于执行重置功能；驱动晶体管，用于响应于来自光电晶体管的输出信号来充当源跟随器缓冲放大器；以及开关晶体管，其连接到所述驱动晶体管并且适于执行寻址功能。

现今，对于CMOS图像传感器的检测多是工程师手工检测。为了进行检测，工程师需要手动连接各测试设备，例如半导体参数分析仪(SemiconductorParameter Analyzer)、脉冲发生器(Pulse Generator)和示波器(Oscilloscope)，并且在各测试设备的界面上预先设置测试参数。在进行检测时，工程师每次只能检测一片晶圆，手动操纵各个探针接触到晶圆上的测试引脚，然后分别操纵脉冲发生器和示波器给出测试信号，通过手动调试示波器界面，使输出信号波形在屏幕中显示出来，再逐个察看各关键时间点的数值，并记录下来。而一旦测试条件改变了，工程师就需要重新进行各测试设备的参数预设置。并且由于探针的数量限制，工程师每次最多操纵六个探针接触到晶圆上的测试引脚。另外，手动测试时，工程师手动调试示波器面板来抓取测试数据时，往往会因为需要同时调试多个面板上的控制键来获得测试数据的完整波形而需要连续多个输入脉冲，并且正因为需要同时调试多个控制键的原因而导致抓取测试数据波形的精度不高，一般各关键时间点的精度在1毫秒，数值的精度在1毫伏。因此，手动检测存在着检测数量少、检测过程不方便并且精度不高的缺点。

发明内容

本发明要解决的问题是现今手动检测CMOS图像传感器检测数量少、检测过程不方便以及精度不高的缺点。

为解决上述问题，本发明提供一种检测半导体器件的方法，包括，

预设待测半导体器件所在晶圆信息参数、测试信息参数以及测试步骤；

根据预设的待测半导体器件所在晶圆信息参数确定待测半导体器件，并根据预设的测试信息参数将测试装置接触到晶圆上与待测半导体器件的端口对应的测试引脚；

执行预设测试步骤对于待测半导体器件进行测试；

输出待测半导体器件的测试结果。