[发明专利]一种纳米微粒复合荧光粉无效
申请号: | 200710044457.2 | 申请日: | 2007-08-01 |
公开(公告)号: | CN101100602A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
发明(设计)人: | 孙卓;潘丽坤;何品刚;曹美玲 | 申请(专利权)人: | 上海芯光科技有限公司 |
主分类号: | C09K11/00 | 分类号: | C09K11/00;C09K11/77;C09K11/56;C09K11/64;C09K11/70 |
代理公司: | 上海三方专利事务所 | 代理人: | 吴干权 |
地址: | 200333上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 微粒 复合 荧光粉 | ||
[技术领域]
本发明涉及一种白光LED用高效纳米微粒复合荧光粉及其制备方法。该荧光粉适于产业化生产的GaN基发光二极管使用,可与蓝光、紫光或紫外LED相匹配,制备新型的二基色或三基色白光LED。
[技术背景]
白光发光二极管(light emit diode-LED)是近几年来快速发展的一种新型固态照明光源。与白炽灯及荧光灯相比,它有许多优点,如有着小型化、长寿命、无汞污染的特点,并且十分节能,被誉为将超越白炽灯、荧光灯和高压气体放电灯的第4代照明光源。目前实现白光LED主要通过LED芯片发光去激发其它荧光发光材料混合而形成白光,如用蓝光LED配合发黄光的荧光粉,一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合来产生白光,或者用蓝光LED配合发绿光和发红光的两种荧光粉,或者用紫光或紫外光的LED去激发红、绿、蓝三种荧光粉等。但是使用这些方法存在着一些问题:首先是荧光粉发光效率较低,这主要是由于荧光粉本身在紫外、紫光或蓝光激发下的能量转换效率不高;其次是黄光和蓝光混合产生的白光存在着颜色上的不平衡,红色成分相对少,LED白光的显色指数较低等。因此人们通常在黄色荧光粉如YAG:Ce中加入可被蓝光激发而发出红光的荧光粉如(Ca,Sr)S:Eu或Y2O2S:Eu等,来实现高显色指数、低色温白光LED。但是,这类红色荧光粉的物理化学性能很不稳定,在空气中易潮解,而且发光效率较低,光衰大。而通过荧光粉产生的红、绿、蓝三种光混合或者绿光、红光和LED蓝光混合的方法有可能因为不同荧光粉发光强度的不匹配而造成显色性的偏离。
纳米微粒特别是量子点荧光材料是当前光电材料与器件的研究热点,其中纳米微粒奇特的发光现象为其展现了广阔的应用前景。许多纳米材料在紫外、紫光和蓝光(300nm-480nm)激发下可以发出波长在500nm-800nm范围内的可见光,而且控制纳米微粒的尺寸能得到多种波段的光发射(绿、黄、红等)。如果根据需要将发不同光波的纳米颗粒与荧光粉掺杂将能有效改善LED的发光效率和显色性。
[发明内容]
本发明的目的在于利用发光性能可调且稳定性好的纳米微粒作为荧光粉的掺杂材料,以提高荧光粉的发光强度和半峰宽,从而有效地提高LED白光光源的发光强度和显色性。
本发明的目的通过以下措施来实现:一种纳米微粒复合荧光粉,包括荧光粉、纳米微粒,其特征在于纳米微粒在荧光粉中的重量百分比为1%-20%。
荧光粉采用稀土石榴石或硫代镓酸盐或碱土硫化物或碱土金属铝酸盐或卤磷酸盐或卤硅酸盐或氟砷锗酸镁,在紫外、紫光和蓝光300nm-480nm激发下可以发出波长在500nm-800nm范围可见光的材料。
纳米微粒采用碳纳米管或纳米金刚石或CdS或CdSe或ZnS或ZnO或TiO2或Si或Al2O3或Ge或InP或SiC或PbS或PbSe或GaAs,尺寸在10nm以下,带隙在0.5eV-3eV之间的材料。
工艺如下:(1)准备纳米微粒的制备,根据上述权利要求2和3选用材料;(2)采用物理或化学混合:物理混合包括纳米微粒和荧光粉的直接固态混合、在一定溶剂中混合或超声混合混合、加温到30℃至100℃之间并烘干20min到60min;化学混合包括(a)纳米微粒的表面修饰;(b)纳米微粒和荧光粉的混合、加温到30℃至100℃之间并烘干20min到60min;(3)得复合荧光粉。
所述的纳米微粒采用化学合成或电化学合成或物理合成方法制备所得。
化学制备步骤中的表面修饰剂采用巯基丙三醇或硫脲或疏萘剂或磺基琥珀酸双2-甲基戊基酯钠盐或四硫富瓦烯四硫醇盐或十二烷基硫酸钠。
物理混合使用的溶剂采用水或酒精或丙酮或环氧树脂或硅胶。
本发明同现有技术相比,用该方法制备的纳米微粒复合荧光粉材料可在300nm-480nm光波激发下发出500nm-800nm光波,适于产业化生产的GaN基发光二极管使用,可与蓝光、紫光或紫外LED相匹配,制备新型的二基色或三基色白光LED;该荧光粉光转换效率高,光波范围宽,制备方法简单方便,可填补目前半导体照明市场需求的空白。
[附图说明]
图1为实施例1的发射光谱图(460nm激发)。
图2为另一实施例2的发射光谱图(460nm激发)。
图3为又一实施例3的发射光谱图(460nm激发)。
参见图1从光谱图上看,掺CdSe量子点后,荧光粉发光强度增强,但发光峰位置基本不变。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海芯光科技有限公司,未经上海芯光科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710044457.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。