[发明专利]一种第一层金属的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的制作，尤其涉及一种第一层金属的制作方法。

背景技术

在半导体器件及其对应的接触孔制成后，接下来会制作第一层金属，其详细过程为：(a)去除自然氧化层；(b)制作粘附层；(c)制作扩散阻挡层。

上述步骤(a)先通过氢氟酸溶液来去除氧化层，再用去离子水清洗，之后使用甩干装置将该半导体器件甩干，甩干过程中通常会对半导体器件加热(通常温度为100至200摄氏度)，但经上述甩干半导体器件的接触孔中易残留水蒸气成分，在后续制作粘附层和扩散阻挡层的过程中，该水蒸气会被该粘附层和扩散阻挡层覆盖从而形成气泡状缺陷，如此将会影响第一层金属粘附的牢固性，易使第一层金属从半导体器件上剥离。

因此，如何提供一种第一层金属的制作方法以避免第一层金属上形成气泡状缺陷，已成为业界亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种第一层金属的制作方法，通过所述方法可避免在第一层金属上形成气泡状缺陷，并可大大提高第一层金属的牢固性。

本发明的目的是这样实现的：一种第一层金属的制作方法，该第一层金属制作在已制成接触孔的半导体器件上，且其从下至上依次包括一粘附层和一扩散阻挡层，该制作方法包括以下步骤：(1)去除自然氧化层；(2)制作粘附层；(3)制作扩散阻挡层；该方法在步骤(1)与步骤(2)间还进行热处理步骤，其中，该热处理的温度范围为350到680摄氏度，时间范围为30到60秒。

在上述的第一层金属的制作方法中，该热处理的温度为680摄氏度，时间为30秒。

在上述的第一层金属的制作方法中，在步骤(1)中，通过氢氟酸溶液去除该自然氧化层，该自然氧化层的厚度为40埃。

在上述的第一层金属的制作方法中，该粘附层为钛，其厚度为100埃。

在上述的第一层金属的制作方法中，该扩散阻挡层为氮化钛，其厚度为200埃。

在上述的第一层金属的制作方法中，该半导体器件为动态随机存储器。

与现有技术制作第一层金属时无热处理步骤而易使第一层金属中产生气泡状缺陷相比，本发明的第一层金属的制作方法在去除自然氧化层后，进行了热处理，从而将半导体器件特别是接触孔中的水蒸气彻底去除，避免第一层金属中产生气泡状缺陷，大大提高了第一层金属的牢固性。

附图说明

本发明的第一层金属的制作方法由以下的实施例及附图给出。

图1为本发明的第一层金属的制作方法的流程图。

具体实施方式

以下将对本发明的第一层金属的制作方法作进一步的详细描述。

本发明中的第一层金属制作在已制成接触孔的半导体器件上，所述第一层金属从下到上依次包括一粘附层和一扩散阻挡层，其中，所述粘附层和所述扩散阻挡层分别为钛和氮化钛。在本实施例中，所述半导体器件为动态随机存储器。

参见图1，本发明的第一层金属的制作方法首先进行步骤S10，去除自然氧化层，所述步骤的详细过程为：首先通过氢氟酸溶液去除所述自然氧化层，所述自然氧化层的厚度为40埃，接着用去离水清洗所述半导体器件，最后使用甩干设备将所述半导体器件甩干。

接着继续步骤S11，进行热处理，其中，所述热处理的温度范围为350到680摄氏度，时间范围为30到60秒。在本实施例中，所述热处理的温度为680摄氏度，所述热处理的时间为30秒。

接着继续步骤S12，制作粘附层。在本实施例中，通过化学气相沉积制作粘附层，所述粘附层为钛，其厚度为100埃。

接着继续步骤S13，制作扩散阻挡层。在本实施例中，通过化学气相沉积制作扩散阻挡层，所述扩散阻挡层为氮化钛，其厚度为200埃。

综上所述，本发明的第一层金属的制作方法在去除自然氧化层后，继续进行热处理，从而将半导体器件特别是接触孔中的水蒸气彻底去除，避免第一层金属中产生气泡状缺陷，大大提高了第一层金属的牢固性。