[发明专利]光刻装置的对准方法及系统

权利要求书

1、一种光刻装置的对准方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

a.启动对准扫描，使对准掩膜图形与工件台基准板对准图形相对移动；

b.同步对掩膜台与工件台的位置数据进行采样，并对脉冲辐射探测信号进行扩展采样；

c.对脉冲辐射探测信号扩展采样得到的采样值进行自适应滤波去噪处理；

d.对脉冲辐射激发数进行判断，若其少于设定的激发数，转至步骤b，否则转到步骤e；

e.将脉冲辐射探测信号扩展采样值经过自适应滤波去噪后的值用于逼近脉冲模型，得到每个脉冲辐射的能量值；

f.用得到的每个脉冲辐射能量值及其对应的对准掩膜图形与工件台图形间的相对位置逼近模型得到相应的模型参数，用所述模型参数得到对准掩膜图形相对工件台图形之间的位置关系；

g.完成对准扫描，将步骤f的结果用于校准对准掩膜图形坐标系坐标相对工件台坐标系坐标之间的关系。

2、如权利要求1所述的光刻装置的对准方法，其特征在于，所述步骤a中对准掩膜图形与工件台基准板对准图形的相对移动包括只移动掩膜台、只移动工件台或将掩膜台与工件台同时移动。

3、如权利要求1所述的光刻装置的对准方法，其特征在于，所述对准扫描是关于掩膜台和工件台的位置、辐射器激发和脉冲辐射探测信号之间的同步扫描。

4、如权利要求1所述的光刻装置的对准方法，其特征在于，所述步骤b是根据经过校准位置数据采样和脉冲辐射探测信号扩展采样后的同步时序关系，同时对位置数据进行采样和对脉冲辐射探测信号进行扩展采样。

5、如权利要求1所述的光刻装置的对准方法，其特征在于，所述步骤c中的自适应滤波去噪处理与采样同时进行。

6、如权利要求5所述的光刻装置的对准方法，其特征在于，所述自适应滤波去噪处理方法包括：最小均方类自适应滤波方法、递归最小二乘方类自适应滤波方法、小波变换类自适应滤波，或使用小波变换类自适应滤波与最小均方类自适应滤波方法，小波变换类自适应滤波与递归最小二乘方类自适应滤波方法形成的组合滤波器进行处理。

7、如权利要求1所述的光刻装置的对准方法，其特征在于，所述步骤f中，每个脉冲辐射能量值及其对应的对准掩膜图形与工件台图形间相对位置的二维逼近模型为g(X，Z)＝μ₁·X²+μ₂·X·Z+μ₃·Z²+μ₄·X+μ₅·Z+μ₆，其中X可以用Y或Z代替，X、Y、Z分别表示x、y、z等方向上的对准掩膜图形和工件台图形间的相对位置，μ₁～μ₆是逼近多项式的系数，g(X，Z)和g(X，Z)分别是随x、z方向上和随y、z方向上对准掩膜图形和工件台图形间的相对位置变化而变化的透射脉冲辐射能量。

8、如权利要求1所述的光刻装置的对准方法，其特征在于，所述步骤f中，每个脉冲辐射能量值及其对应的对准掩膜图形与工件台图形间相对位置的一维逼近模型为：g(X)＝μ₁·X²+μ₂·X+μ₃，其中X可以用Y或Z代替，X、Y、Z分别表示x、y、z等方向上的对准掩膜图形和工件台图形间的相对位置，μ₁～μ₃是逼近多项式的系数，g(X)、g(Y)和g(Z)分别是随x、y和z方向上对准掩膜图形和工件台图形间的相对位置变化而变化的透射脉冲辐射能量。