[发明专利]光刻的曝光方法及曝光系统

权利要求书

1、一种光刻的曝光方法，其特征在于，包括步骤：

利用检测片检测杂散光在衬底上的分布情况；

确定待曝光场在所述衬底上的位置；

根据所述检测片检测得到的杂散光的分布情况及所述位置，计算所述待曝光场的杂散光平均值；

根据所述待曝光场的杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数；

按照所述曝光参数对所述待曝光场进行曝光；

移至所述衬底上的下一个待曝光场，重复上述确定待曝光场位置、计算杂散光平均值、确定曝光参数及曝光的步骤，直至所述衬底上的各曝光场均完成曝光。

2、如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于：根据所述杂散光平均值确定每个待曝光场的曝光参数，包括步骤：

根据所述杂散光平均值确定所述待曝光场的图形偏差量；

根据所述待曝光场的所述图形偏差量确定所述待曝光场的曝光参数。

3、如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于：根据所述待曝光场的杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数之前，还包括步骤：

判断所述待曝光场内的图形是否为简单图形，所述简单图形为图形尺寸受杂散光及曝光参数影响相同的图形：如果是，可以直接根据所述杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数；如果否，则综合考虑所述待曝光场内的各图形的尺寸受杂散光和曝光参数的影响，及对各图形的尺寸变化的容忍度后再确定所述待曝光场的曝光参数。

4、如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于：所述曝光参数包括曝光剂量和/或曝光时间。

5、一种曝光系统，包括曝光装置，其特征在于：还包括检测片、存储单元、第一计算单元及第二计算单元；其中的检测片用于检测杂散光的分布情况；存储单元用于存储由检测片检测得到的杂散光的分布情况及各待曝光场在衬底上的位置；第一计算单元用于根据所述存储单元内存储的杂散光分布情况及各所述待曝光场的位置，分别计算各所述待曝光场的杂散光平均值；第二计算单元用于根据所述第一计算单元计算得到的各所述待曝光场的杂散光平均值分别确定各所述待曝光场的曝光参数；曝光装置，用于按所述第二计算单元计算得到的曝光参数分别对各所述待曝光场进行曝光。

6、如权利要求5所述的曝光系统，其特征在于：所述第二计算单元在确定各所述待曝光场的曝光参数时，先根据所述杂散光平均值确定各所述待曝光场的图形偏差量；再根据各所述待曝光场的所述图形偏差量确定各所述待曝光场的曝光参数。

7、如权利要求5所述的曝光系统，其特征在于：还包括判断单元，所述判断单元用于判断所述待曝光场的图形是否为简单图形，所述简单图形为图形尺寸受杂散光及曝光参数影响相同的图形：如果是，所述第二计算单元可以直接根据所述杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数；如果否，则所述第二计算单元综合考虑所述待曝光场的各图形的尺寸受杂散光和曝光参数的影响，及对各图形的尺寸变化的容忍度后再确定所述待曝光场的曝光参数。

8、如权利要求5所述的曝光系统，其特征在于：所述第二计算单元根据预先存放的所述杂散光平均值对图形尺寸的第一影响表及所述曝光参数对图形尺寸的第二影响表确定所述待曝光场的曝光参数。

9、如权利要求5所述的曝光系统，其特征在于：所述曝光参数包括曝光剂量和/或曝光时间。