[发明专利]一种纳米结构套刻的模板设计和实现方法

权利要求书

1.一种纳米结构套刻的模板设计和实现方法，其特征在于：

(1)对称性模板版图设计；

(2)调整模板与基底相对位置；

(3)对准套刻；

(4)加工下一层结构。

2.按权利要求1所述的纳米结构套刻的模板设计和实现方法，其特征在于所述对称性模板版图设计：

(1)不同层的结构全部设计在一块模板版图上，模板表面图形单元(一个(或一组)圆、或直线、或曲线或折线或上述圆、线的任意组合)几何中心(或图形单元上某一点、或图形单元周围某一点)处于XY直角坐标系中的坐标轴上，每个中心点(或图形单元上某一点、或图形单元周围某一点)在另一个坐标轴上都至少有一个与它等截距的中心点(或图形单元上某一点、或图形单元周围某一点)对应，互为镜像点；或模板表面图形单元几何中心(或图形单元上某一点、或图形单元周围某一点)处于XY直角坐标系中的任意一个象限内，每个几何中心(或图形单元上某一点、或图形单元周围某一点)在其他象限中至少有一个中心点(或图形单元上某一点、或图形单元周围某一点)和它沿相应坐标轴对称分布，互为镜像点。模板表面图形单元(一个(或一组)圆、或直线、或曲线或折线或上述圆、线的任意组合)中线条宽度、间距的特征尺寸在1nm～500μm之间。线条深度或高度为5nm～50μm。

(2)不同层的对准标记全部设计在同一模板表面，对准标记的分布遵循上述(1)规则，即上述图形单元中至少有一组镜像点对应的图案是作为对准标记的，对准标记外形是规则的几何形状，每组对准标记中的标记外形可以相同也可以不相同，但一定要有对应的一组(两条或两条以上)或两组及两组以上线段作为识别区域。作为识别区域的线段长度在10μm～500μm之间，对准后识别区域相邻两条线段间距为0～5μm之间。对准标记图形线宽、间距的特征尺寸在1nm～500μm之间，线条深度或高度为20nm～50μm。

3.按权利要求1所述的纳米结构套刻的模板设计和实现方法，其特征在于所述调整模板与基底相对位置，以基底和模板上一次光刻相对位置为基准，通过重置或旋转模板、或基底、或同时旋转模板和基底一定角度，使模板和基底相对位置与上一次光刻相对位置相比产生特定的水平方向的角位移。

4.按权利要求1所述的纳米结构套刻的模板设计和实现方法，其特征在于所述对准套刻，根据需要寻找在基底上上一次光刻留下的对准标记和该标记在模板上的镜像点对准标记，微动调节模板和基底相对位置，直到对准标记上识别区域对应的线段组相对位置到达设定位置，满足套刻精度要求后曝光套刻。

5.按权利要求1所述的纳米结构套刻的模板设计和实现方法，其特征在于利用同一块模板加工下一层结构，根据需要，一块模板可以重复使用，通过多次套刻加工不同的结构层。