[发明专利]引线框架及其制造方法,半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710044632.8 申请日: 2007-08-05
公开(公告)号: CN101359599A 公开(公告)日: 2009-02-04
发明(设计)人: 张启华;吴波;廖炳隆;颜金国 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/495;H01L21/50
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 引线 框架 及其 制造 方法 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种引线框架的制造方法,其特征在于,包括下述步骤:

形成引线框架基体和连接至所述引线框架基体的引线,所述引线避开半导体芯片表面的金属区域排布;

根据所述引线的排布分段贴附胶带于所述引线,以避开所述半导体芯片表面的金属区域。

2.根据权利要求1所述的引线框架的制造方法,其特征在于,所述引线以梳形自所述引线框架基体侧向延伸。

3.根据权利要求1所述的引线框架的制造方法,其特征在于,所述引线框架基体和引线的材料为金属或合金。

4.一种引线框架,包括:引线框架基体、连接至所述引线框架基体的引线,和贴附于所述引线的胶带,其特征在于,所述的引线避开半导体芯片表面的金属区域排布,所述胶带根据所述引线的排布分段贴附于引线,以避开所述半导体芯片表面的金属区域。

5.根据权利要求4所述的引线框架,其特征在于,所述引线以梳形自所述引线框架基体侧向延伸。

6.根据权利要求4所述的引线框架,其特征在于,所述引线框架基体和引线的材料为金属或合金。

7.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括下述步骤:

形成半导体芯片的引线框架,所述的引线框架包括引线框架基体、连接于所述引线框架基体的引线,和贴附于所述引线的胶带,所述引线避开半导体芯片表面的金属区域排布,所述胶带根据所述引线的排布分段贴附于引线,以避开所述半导体芯片表面的金属区域;

将半导体芯片安装在引线框架上,所述的半导体芯片贴附在所述引线框架的胶带上,且电连接所述引线框架的引线;

用密封树脂覆盖所述半导体芯片;

去除所述引线框架基体。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述引线以梳形自所述引线框架基体侧向延伸。

9.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述引线框架基体和引线的材料为金属或合金。

10.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述的半导体芯片是半导体存储器,所述金属区域是半导体存储器的熔丝区域。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述熔丝的材料为铝。

12.一种半导体器件,包括:半导体芯片,电连接所述半导体芯片的引线,以及贴附在所述半导体芯片和引线间的胶带,其特征在于,所述的引线避开半导体芯片表面的金属区域排布,所述胶带根据所述引线的排布分段贴附于引线和半导体芯片之间,以避开所述半导体芯片表面的金属区域。

13.根据权利要求12所述的半导体器件,其特征在于,所述引线的材料为金属或合金。

14.根据权利要求12所述的半导体器件,其特征在于,所述的半导体芯片是半导体存储器,所述金属区域是半导体存储器的熔丝区域。

15.根据权利要求14所述的半导体器件,其特征在于,所述熔丝的材料为铝。

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