[发明专利]引线框架及其制造方法,半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 200710044632.8 | 申请日: | 2007-08-05 |
公开(公告)号: | CN101359599A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | 张启华;吴波;廖炳隆;颜金国 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/495;H01L21/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 框架 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
1.一种引线框架的制造方法,其特征在于,包括下述步骤:
形成引线框架基体和连接至所述引线框架基体的引线,所述引线避开半导体芯片表面的金属区域排布;
根据所述引线的排布分段贴附胶带于所述引线,以避开所述半导体芯片表面的金属区域。
2.根据权利要求1所述的引线框架的制造方法,其特征在于,所述引线以梳形自所述引线框架基体侧向延伸。
3.根据权利要求1所述的引线框架的制造方法,其特征在于,所述引线框架基体和引线的材料为金属或合金。
4.一种引线框架,包括:引线框架基体、连接至所述引线框架基体的引线,和贴附于所述引线的胶带,其特征在于,所述的引线避开半导体芯片表面的金属区域排布,所述胶带根据所述引线的排布分段贴附于引线,以避开所述半导体芯片表面的金属区域。
5.根据权利要求4所述的引线框架,其特征在于,所述引线以梳形自所述引线框架基体侧向延伸。
6.根据权利要求4所述的引线框架,其特征在于,所述引线框架基体和引线的材料为金属或合金。
7.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括下述步骤:
形成半导体芯片的引线框架,所述的引线框架包括引线框架基体、连接于所述引线框架基体的引线,和贴附于所述引线的胶带,所述引线避开半导体芯片表面的金属区域排布,所述胶带根据所述引线的排布分段贴附于引线,以避开所述半导体芯片表面的金属区域;
将半导体芯片安装在引线框架上,所述的半导体芯片贴附在所述引线框架的胶带上,且电连接所述引线框架的引线;
用密封树脂覆盖所述半导体芯片;
去除所述引线框架基体。
8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述引线以梳形自所述引线框架基体侧向延伸。
9.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述引线框架基体和引线的材料为金属或合金。
10.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述的半导体芯片是半导体存储器,所述金属区域是半导体存储器的熔丝区域。
11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述熔丝的材料为铝。
12.一种半导体器件,包括:半导体芯片,电连接所述半导体芯片的引线,以及贴附在所述半导体芯片和引线间的胶带,其特征在于,所述的引线避开半导体芯片表面的金属区域排布,所述胶带根据所述引线的排布分段贴附于引线和半导体芯片之间,以避开所述半导体芯片表面的金属区域。
13.根据权利要求12所述的半导体器件,其特征在于,所述引线的材料为金属或合金。
14.根据权利要求12所述的半导体器件,其特征在于,所述的半导体芯片是半导体存储器,所述金属区域是半导体存储器的熔丝区域。
15.根据权利要求14所述的半导体器件,其特征在于,所述熔丝的材料为铝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造