[发明专利]改进的存储式离子迁移率谱仪及其控制方法

权利要求书

1.改进的存储式离子迁移率谱仪，包括电离区和漂移区，在该电离区和漂 移区之间设置有离子存储区，该离子存储区包括第一栅网电极、电离腔、第二栅 网电极和第三栅网电极，该第一栅网电极置于电离腔前，该第二栅网电极置于电 离腔后，第三栅网置于第二栅网电极后、漂移区前，其特征在于：在该离子存储 区工作过程中，通过依次在电离腔和第三栅网电极上加脉冲电压使离子存储后进 入漂移区。

2.根据权利要求1所述的改进的存储式离子迁移率谱仪，其特征在于：当 工作在正离子模式下，第一栅网电极始终接正高压V₁；存储阶段，电离腔、第二 栅网电极均接正电压V₂，第三栅网电极接正电压V₃，其中V₁＞V₃＞V₂，经过时间T₁后，在电离腔加正向脉冲电压PV₁，所加的时间T₂就是脉冲的宽度；又过一段时 间T₃后向第三栅网电极加一负向脉冲电压PV₂，使得V₂＞V₃-PV₂，其中T₃＜T₂。

3.根据权利要求1所述的改进的存储式离子迁移率谱仪，其特征在于：工 作在负离子模式下，第一栅网电极始终接负高压-V₁；存储阶段，电离腔、第二栅 网电极均接负电压-V₂，第三栅网电极接负电压-V₃，其中-V₁＜-V₃＜-V₂，经过时间 T₁后，在电离腔加负向脉冲电压PV₁，所加的时间T₂就是脉冲的宽度；又过一段 时间T₃后向第三栅网电极加一正向脉冲电压，脉冲幅度为PV₂，使得-V₂＜-V₃+PV₂， 其中T₃＜T₂。