[发明专利]MIM电容器及其制造方法、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710044814.5 | 申请日： | 2007-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101364532A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 胡友存 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/822;H01L21/768;H01L29/92;H01L27/04;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mim 电容器 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
1、一种MIM电容器的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底；
在所述半导体基底上形成第一金属层，所述第一金属层为铝；
在所述第一金属层上形成第二金属层，所述第二金属层为钛、氮化钛、钽、氮化钽中的一种或组合，平坦化所述第二金属层，以防止介质层的平坦度变差；
在所述第二金属层上形成介质层；
在所述介质层上形成第三金属层；
图形化所述第三金属层、介质层、第二金属层和第一金属层，形成以第一金属层图形和第二金属层图形为下极板、第三金属层图形为上极板、介质层图形为电介质的MIM电容器。
2、如权利要求1所述的MIM电容器的制造方法，其特征在于：平坦化所述第二金属层的方法为化学机械研磨。
3、如权利要求1所述的MIM电容器的制造方法，其特征在于：所述介质层为氮化硅或氧化硅。
4、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，在所述半导体基底中具有互连层；
在所述半导体基底上形成第一金属层，所述第一金属层为铝；
在所述第一金属层上形成第二金属层，所述第二金属层为钛、氮化钛、钽、氮化钽中的一种或组合，平坦化所述第二金属层，以防止所述介质层的平坦度变差；
在所述第二金属层上形成第一介质层；
在所述第一介质层上形成第三金属层；
图形化所述第三金属层、第一介质层、第二金属层和第一金属层，形成以第一金属层图形和第二金属层图形为下极板、第三金属层图形为上极板、第一介质层图形为电介质的MIM电容器，且所述上极板的面积小于下极板的面积；
在所述MIM电容器和半导体基底上形成第二介质层；
在所述第二介质层中形成第一开口、第二开口和第三开口，所述第一开口底部露出所述第三金属层图形的表面，所述第二开口底部露出所述第二金属层图形的表面，所述第三开口底部露出所述互连层表面；在所述第一开口、第二开口和第三开口中填充金属材料。
5、如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：平坦化所述第二金属层的方法为化学机械研磨。
6、如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述第一介质层为氮化硅或氧化硅。
7、如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述第二介质层为低介电常数材料。
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