[发明专利]光刻工序中套刻精度的控制方法无效
| 申请号： | 200710044888.9 | 申请日： | 2007-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101369101A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 金晓亮 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 工序 中套 精度 控制 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻工序中套刻精度的控制方法，其特征在于，该控制方法包括如下步骤：在晶圆中心部分选取数个测试芯片单元；提供检测设备，对上述测试芯片单元进行套刻精度测试，得到套刻数据；提供光刻机，其包括彼此相连的机台控制系统和边缘补偿模块，将上述套刻数据输入边缘补偿模块得到晶圆边缘部分的套刻数据；将上述晶圆边缘部分的套刻数据输入机台控制系统设置晶圆边缘部分的偏移误差。
2.如权利要求1所述的套刻精度的控制方法，其特征在于：对上述测试芯片单元进行套刻精度测试步骤中，得到的套刻数据包括该晶圆的比例误差、旋转误差以及测试芯片单元的比例误差、旋转误差。
3.如权利要求1所述的套刻精度的控制方法，其特征在于：所述边缘补偿模块是采用如下方法得出晶圆边缘部分的套刻数据的：晶圆边缘部分某一点的坐标＝该点的初始坐标+中心部分芯片单元的套刻误差+光刻机的固有误差。
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