[发明专利]一种检测多量子阱发光二极管内部量子点密度的方法无效
| 申请号： | 200710044935.X | 申请日： | 2007-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101109724A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 陆卫;夏长生;李志锋;张波;甄红楼;陈平平;李天信;李宁;陈效双 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G06F19/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检测 多量 发光二极管 内部 量子 密度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种检测多量子阱发光二极管内部量子点密度的方法，其特征在于具体步骤如下：
A.将生长完成的InGaN/GaN多量子阱材料芯片，切割成普通发光二极管芯片大小，刻蚀出N型GaN电极层，并镀制具有欧姆接触的正负电极；
B.通过发光二极管I-V特性曲线测量仪测得不同发光二极管在相同注入电流下的I-V特性曲线；
C.通过切线外推的方法获得不同发光二极管的开启电压，开启电压VTurn_on与量子点密度NQD满足如下关系式：
然后利用计算机可很容易求得量子点密度NQD大小。
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