[发明专利]具有微镜的微电子机械系统的制作方法有效
| 申请号： | 200710044973.5 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101367504A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘蓓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 微电子 机械 系统 制作方法 | ||
1.具有微镜的微电子机械系统的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
a.在一基体上依次形成电路层、一氧化层及一铰链层；
b.形成一第一牺牲层，该第一牺牲层覆盖该电路层、该氧化层及该铰链层，且在第一牺牲层上形成一第二牺牲层，其中该第二牺牲层是BPSG层；
c.在BPSG层中形成第一开口，以露出部分的铰链层；
d.在BPSG层上形成图案化金属层，且使金属层覆盖该第一开口露出的部分铰链层；
e.在图案化金属层上形成第二开口，以露出部分BPSG层；
f.通过该第二开口去除该第二牺牲层和该第一牺牲层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一牺牲层为第一光阻层或者聚酰亚胺层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成图案化金属层的材料包括氮化钛、非晶硅和铝。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在BPSG层中形成第一开口的方法是干法刻蚀。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤e中，在图案化金属层上形成第二开口，以露出部分BPSG层的步骤包括：
在图案化金属层上形成一第二光阻层；
在第二光阻层中形成第三开口，以露出部分图案化金属层；
去除该第三开口露出的部分图案化金属层，以形成该第二开口。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤e还包括在形成该第二开口后，去除该第二开口处的聚合物。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤f中，还包括在去除该第一牺牲层的同时去除该第二光阻层。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤f中，去除该第二牺牲层的方法包括化学气相刻蚀。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除该第一牺牲层的方法包括干法氧刻蚀。
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