[发明专利]降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法

权利要求书

1.一种降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，用以降低氮化物只读存储器编程中的位线干扰，该氮化物只读存储器具有一存储单元阵列，该阵列中的存储单元的栅极连接多条字线，该阵列中的存储单元的源极或漏极连接多条位线，其特征在于，该方法包括以下步骤：

a.对选中的存储单元编程；以及

b.在步骤a的同时，对该氮化物只读存储器施加一特定的基体偏压，使该基体偏压施加至与选中的存储单元同一位线的未选中存储单元，该基体偏压是根据对位线干扰的容忍度，从包含存储单元的基体偏压与位线干扰的对应关系的表格中选取，该位线干扰是以该未选中单元的电压变动量来衡量。

2.如权利要求1所述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，其特征在于，该步骤a进一步包括：通过一字线施加一栅极电压至选中的存储单元的栅极，以及通过两位线分别施加一源极电压和一漏极电压至选中的存储单元的源极和漏极。

3.如权利要求1所述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，其特征在于，还包括测量一组基体偏压与位线干扰的对应关系，以预先建立该表格。

4.如权利要求3所述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，其特征在于，预先建立该表格的步骤包括：

以一编程模式对一存储单元的一存储位进行编程，检测该存储位的电压；

以一干扰模式对该存储单元施加电压，其中选择一组不同的基体偏压，并检测该存储单元在不同的基体偏压作用下的存储位电压的变动量；

建立该组基体偏压与该存储单元的存储位电压的变动量的对应关系表。

5.如权利要求3所述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，其特征在于，预先建立该表格的步骤包括：

测量一存储单元的一存储位的初始电压；

以一干扰模式对该存储单元的该存储位施加电压，并且选择一组不同的基体偏压，以检测该存储单元在不同的基体偏压作用下的该存储位电压的变动量；

建立该组基体偏压与该存储单元的该存储位电压的变动量的对应关系表。

6.如权利要求1所述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，其特征在于，所述与选中的存储单元同一位线的未选中存储单元的状态包括未编程和已编程。

7.如权利要求1所述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，其特征在于，该基体偏压为正电压。

8.如权利要求1所述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，其特征在于，该基体偏压介于0.1～0.5V之间。